英飞凌与格罗方德共同开发40nm嵌入式Flash制程
2013-05-06 11:40:03
来源：网络
摘要： 英飞凌科技与格罗方德公司 (Globalfoundries Inc.) 日前宣佈共同开发并合作生产40 奈米 (nm) 嵌入式快闪记忆体 (eFlash) 製程技术。这项合作案将着重于以英飞凌 eFlash 晶片设计为基础的技术开发，以及採用 40nm 製程的车用微控制器及安全晶片的製造。新一代 40nm eFlash 微控制器晶片将在格罗方德不同的据点生产，初期于新加坡，后续则将转移到位于德国德勒斯登的厂房。
英飞凌董事会成员 Arunjai Mittal 表示：「採用 40nm 製程结构的新一代嵌入式快闪记忆体微控制器，将进一步提升我们在汽车及晶片与安全防护市场的竞争优势。我们相信格罗方德将以他们优异的製造经验以及分佈于不同地区的据点，满足英飞凌在品质、架构安全性和企业永续性等方面的严格需求。」
格罗方德执行长Ajit Manocha 表示：「英飞凌选择格罗方德做为其 40nm 嵌入式快闪记忆体技术节点的晶圆代工伙伴，是对我们能由跨区域的多间晶圆厂房支援单一代工厂解决方案 (one-foundry-solution) 独特能力的肯定。我们致力于提供领先的技术和製造能力，满足英飞凌的业务所需。我们期盼能与英飞凌建立长远的合作关係，协助英飞凌在这个变化快速的产业获致成功。」
这项与格罗方德的合作案符合英飞凌在 65nm 以下的 CMOS 技术採用共同技术研发的策略。安全晶片预计将于 2015 年下半年进行製程及产品验证，汽车微控制器则预计于 2017 年上半年开始製造。
英飞凌及格罗方德在开发及製造範畴有着长期的合作关係，其中包括 CMOS 低功率手机产品的共同开发及製造。
本文为哔哥哔特资讯原创文章，未经允许和授权，不得转载，否则将严格追究法律责任；
暂无评论