F-RAM存储器，即铁电随机存取存储器（Ferroelectric Random Access Memory），是一种非易失性存储器，结合了RAM和ROM的优势。它采用外形小巧的低功耗设计，提供即时非易失性存储和近乎无限的耐久性，同时保持出色的速度和能效。 F-RAM芯片包含一个锆钛酸铅（Pb(Zr,Ti)O3，通常被称为PZT）的薄铁电薄膜。PZT中的Zr/Ti原子在电场中改变极性，从而产生一个二进制开关。当电场被加到铁电晶体时，中心原子顺着电场的方向在晶体里移动，移动过程中通过一个能量壁垒，引起电
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