FRAM,也被称为铁电随机存取存储器或FeRAM,是一种非易失性存储器,它使用铁电薄膜作为电容器来存储数据。FRAM兼具ROM(只读存储器)和RAM(随机存取存储器)的特性,具有写入速度更快、读/写循环寿命长、功耗低等特点。 FRAM的优势在于其高速读写、高耐久性、低功耗以及非易失性。即使在没有电力供应的情况下,FRAM也能保存所存储的信息,这使得它在各种应用中都有广泛的用途,如移动装置、OA设备、数字电器和银行终端等。此外,FRAM产品兼容EEPROM和低功耗SRAM等标准存储器,具有串行接口
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5月28日,Fujitsu高级产品工程师伍宏杰将带《智能时代的存储解决方案——富士通FRAM》的演讲参加第四届智能三表创新与设计研讨会,介绍Fujitsu的FRAM产品及相关技术方案。本次研讨会由大比特资讯机构主办、半导体器件应用网承办,将在杭州万华国际酒店隆重举办。
上海,2013年3月25日 –富士通半导体(上海)有限公司今日宣布,推出两款新型FRAM产品-MB85RS1MT 和 MB85RS2MT,两款产品分别带有1 Mbit 和 2 Mbit的存储器,是富士通半导体提供的最大容量的串口FRAM。这两款产品将于2013年3月起开始提供新品样片。
上海,2012年10月16日 –富士通半导体(上海)有限公司今日宣布,推出其V系列的又一款新产品MB85RC256V。至今为止,富士通V系列FRAM产品已经涵盖了4Kbit,16Kbit,64Kbit,256Kbit等容量。MB85RC256V是富士通首款可在2.7V-5.5V电压范围内工作的FRAM产品,为当今对元器件电压范围要求高的领域提供了设计的方便。作为全球领先的非易失性铁电随机存取存储器
富士通半导体(上海)有限公司今日宣布推出基于0.18 µm 技术的全新 SPI FRAM产品家族,包括MB85RS256A、MB85RS128A和MB85RS64A这3个型号,并从即日起开始为客户提供样片。