富士通半导体推出基于2.7V-5.5V的宽电压FRAM产品

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富士通半导体推出基于2.7V-5.5V的宽电压FRAM产品

2012-10-16 10:47:24 来源：半导体器件应用网

摘要：上海，2012年10月16日 –富士通半导体(上海)有限公司今日宣布，推出其V系列的又一款新产品MB85RC256V。至今为止，富士通V系列FRAM产品已经涵盖了4Kbit，16Kbit，64Kbit，256Kbit等容量。MB85RC256V是富士通首款可在2.7V-5.5V电压范围内工作的FRAM产品，为当今对元器件电压范围要求高的领域提供了设计的方便。作为全球领先的非易失性铁电随机存取存储器FRAM供应商，富士通后续还将根据市场需求推出更大容量的产品。

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上海，2012年10月16日 –富士通半导体(上海)有限公司今日宣布，推出其V系列的又一款新产品MB85RC256V。至今为止，富士通V系列FRAM产品已经涵盖了4Kbit，16Kbit，64Kbit，256Kbit等容量。MB85RC256V是富士通首款可在2.7V-5.5V电压范围内工作的FRAM产品，为当今对元器件电压范围要求高的领域提供了设计的方便。作为全球领先的非易失性铁电随机存取存储器FRAM供应商，富士通后续还将根据市场需求推出更大容量的产品。

图片：MB85RC256V芯片图

FRAM产品结合了ROM的非易性数据存储性能和RAM的优势，具有几乎无限次的读写次数、高速读写周期和低功耗特点。富士通FRAM产品线具有多种接口和容量，包括工业标准的串行和并行接口;富士通FRAM产品具备了高速读写，高耐久性，低功耗三大特点，使其不同于其他非易失性存储器。FRAM产品广泛的应用于仪器仪表，工业控制，汽车电子，金融POS等各种先进领域，对于这些领域来说FRAM的高速读写，高耐久性，低功耗等特性非常重要。