IGBT是绝缘栅双极晶体管的简称,是一种三端半导体开关器件,可用于多种电子设备中的高效快速开关。IGBT主要包括单管、模块和智能功率模块(IPM)三类产品。它由双极结型晶体管(BJT)和金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)组成,是一种电压控制开关型功率半导体器件,也是电能转换的核心器件。 IGBT的作用类似于人类的心脏,能够根据工业装置中的信号指令来调节电路中的电压、电流、频率、相位等,以实现精准调控的目的。因此,IGBT广泛应用于电机节能、轨道交通、智能电网、航空航天、家用电器、汽车电子、新能源发
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日前,在第九届中国电子信息博览会上,半导体器件应用网记者采访到了深爱市场营销部人员尹逊杰。
随着电力电子技术的发展,很多场合需要大功率大电流的直流电源。EAST的磁约束核聚变装置使用的直流快控电源即是一种大功率直流电源,其技术要求为:电压响应时间1ms峰值电压50V;最大电流20kA,能实现4个象限的运行。
以太阳能逆变器应用来说,绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 能比其他功率元件提供更多的效益,其中包括高载流能力、以电压而非电流进行控制,并能使逆并联二极管与IGBT配合。本文将介绍如何利用全桥逆变器拓扑及选用合适的IGBT,使太阳能应用的功耗降至最低。
各国政府都将削减可再生能源及交通等领域的支出,因此IGBT器件和模块的制造商面临着一场考验。
日前,推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)持续扩充高性能绝缘门双极晶体管(IGBT)产品阵容,应用于消费类电器及工业应用的高性能电源转换(HPPC)。安森美半导体新的第二代场截止型(FSII) IGBT器件改善开关特性,降低损耗达30%,因而提供更高能效,并转化为更低的外壳温度,为设计人员增强系统总体性能及可靠性的选择。这些新器件针对目标
为了满足现今和新兴点火系统对排放和高燃油效率的严苛要求,汽车设计人员需要更高性能的点火线圈驱动器技术。为帮助设计人员满足这些要求,飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出了在较小的占位面积下具有更低功耗的最新一代点火IGBT器件。
本文基于IGBT器件,利用DC/DC电源并联技术设计大功率直流电源。该电源可用作EAST托卡马克装置中的大功率垂直位移快速控制直流电源。对该电源装置进行了仿真和实验,获得了较为满意的动静态性能。