宽禁带功率器件是半导体领域的一项颠覆性技术，它以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表材料，凭借其卓越的物理特性，正推动着从新能源汽车到数据中心等多个关键行业的能效革命和技术升级。宽禁带器件之所以能成为技术焦点，源于其材料本身的物理优势，极高的效率：由于具有高击穿电场强度和低导通电阻的特性，SiC和GaN器件在电能转换过程中的开关损耗和导通损耗都远低于传统的硅基器件
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