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传统上在高压功率晶体的设计中，采用硅材料的功率晶体要达到低通态电阻，必须采用超级结技术（superjunction），利用电荷补偿的方式使磊晶层（Epitaxial layer）内的垂直电场分布均匀，有效减少磊晶层厚度及其造成的通态电阻。
日本太阳能电池龙头厂夏普(Sharp)24日发布新闻稿宣布，已研发出一款光电转换率达全球最高水准的化合物3接面太阳能电池Cell(Triple-Junction Compound Solar Cell)，其转换率高达37.9%(指研发阶段的转换率)。
面向聚光光伏(CPV)市场开发高效率多接面太阳能电池的硅谷公司Solar Junction与全球领先的半导体晶圆供应商IQE正在与欧洲航天局(European Space Agency) 就开发下一代卫星太阳能电池的合同进行协商。
东芝公司(Toshiba)推出了基于第四代600V系统超级结(super junction)MOSFET“DTMOSIV”系列的高速二极管。新系列采用最新的单外延工艺打造，其每单位面积导通电阻(RON•A)较现有产品降低了约30%(注1)，处于业界领先水平。(注2)另外，高速寄生二极管的反向恢复时间约为现有产品的三分之一(注3)，降低了损耗并有助于提高功效。
市场研究机构 Yole Developpement 推出超接面金氧半场效电晶体(Super Junction Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor，SJ MOSFET)的市场更新报告，深度剖析高压(400伏特以上) SJ MOSFET 市场指标与预测、深沟式(Deep trench)与多磊晶(multi-epi)技术的差异以及新兴业者的
12月5日，夏普发布公告称，公司新研发的一款光电转换率达全球最高水准的化合物3接面太阳能电池Cell(Triple-Junction Compound Solar Cell)，其转换率高达37.7%，居世界领先水平。
瑞萨电子宣布开发出了导通电阻仅为150mΩ(栅源间电压为10V时的标称值)的600V耐压超结(SJ：SuperJunction)型功率MOSFET"RJL60S5系列"，将从2012年9月开始样品供货。超结是可在不牺牲耐压的情况下，降低导通电阻的功率MOSFET的元件构造。虽然其他竞争公司已经推出了采用这种构造的功率MOSFET，但据瑞萨电子介绍，"RJL60S5系列"在600V耐压产品中实现了业
全套互连产品供应商Molex公司推出SolarSpec™ 智能接线盒(Smart Junction Box)，该连接系统可让太阳能光伏(PV)电池板制造商方便地提供带有嵌入式安全和监控功能模块产品，以及便利、安全及可靠的连接工具。
据介绍，东芝2011年度在功率半导体方面，对低耐压品和高耐压品，均将采用新的元器件构造，以制造电力转换效率高的产品。例如，低耐压MOSFET将把原来的“UMOS型”改为新构造，而高耐压MOS FET将导入具有东芝自主技术经验的Single Epi构造超结(Super Junction)MOS。据悉，IGBT的耐压部分将采用较薄的新构造。另外，针对要求高频工作的用途等，东芝正在开发采用SiC和GaN
该电池样品面积为5.5mm × 5.5mm，比之前的记录保持者的平均效率提高了1.2个百分点。Solar Junction公司的光伏电池效率峰值在日照强度在400以上水平时为43.5%，日照强度1000以上时效率仍然高达43%。
