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为了提高晶体硅太阳能电池的效率，通常需要减少太阳电池正表面的反射，还需要对晶体硅表面进行钝化处理，以降低表面缺陷对于少数载流子的复合作用。
理想能源最新推出了在线式PECVD设备，可适用于异质节晶体硅太阳能电池的生产或研发，其稳定、可靠的特性尤其适用于高质量异质节晶体硅电池的生产。和传统设备相比其具有诸多优势。
为了降低晶体硅太阳电池的效率，通常需要减少太阳电池正表面的反射，还需要对晶体硅表面进行钝化处理，以降低表面缺陷对于少数载流子的复合作用。
应用材料公司日前宣布，推出新的物理气相沉积(PVD)和电浆强化化学气相沉积(PECVD)技术，促使超高画质(UHD)电视及高像素密度显示屏的行动装置迈向新纪元。
管式PECVD设备的工艺气体流量的改变，会直接改变膜厚、折射率、吸光系数、少子寿命、转换效率，而其变化不是单调上升或单调下降的，通过该技术分析，可以避免在工艺中为了获得膜均匀而忽略了流量是和电池转换效率密切相关的事实，可以让大家进一步明白电池转换效率与膜性能的密切联系。
传统的干法刻蚀PSS图形衬底对增加LED效率很有效，但产量较低，可控性受衬底尺寸增加的影响很多，晶片尺寸增加时需要更多的刻蚀工具来维持产量。在MicroTech系统的湿法刻蚀过程比较简单，采用PECVD在蓝宝石晶片上沉积一层图形SiO2掩膜，光刻曝光要刻蚀的图形，然后把晶片浸入装有刻蚀剂和缓冲剂的刻蚀槽中。
传统制备氮化硅薄膜技术(CVD)存在沉积温度高的缺点，我们采用电子回旋共振-等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)技术以降低薄膜沉积温度。ECR-PECVD技术具有高离子密度、低离子温度、对基板轰击能量低、沉积温度低等优点。在本文中，我们对不同工艺下ECR-PECVD低温制备的氮化硅薄膜的沉积速率和表面形貌进行了探讨。
诺发公司（NOVELLUS）凭借VECTOR EXTREME制定全新PECVD产量业界基准
