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在能源效率标准和最终系统要求的推动之下，电源设计人员需要有助于缩减其应用电源的外形尺寸且不影响功率密度的高能效解决方案。飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET以3.3mm x 3.3mm PQFN外形尺寸提供业界最佳功率密度和低传导损耗，能够满足这些需求。
全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 扩展其PQFN封装系列，推出PQFN 2mm x 2mm和PQFN 3.3mm x 3.3mm封装。新型封装集成了两个采用IR最新硅技术的HEXFET® MOSFET，为低功率应用提供高密度、低成本的解决方案，这些应用包括智能手机、平板电脑、摄像机、数码相机、直流电动机、无线感应充
新款PQFN4x4 (优化式MLPQ 16引线) 封装只需要16mm2 的占位空间，能够容纳许多原先需要SOIC-16等大尺寸封装的IR高性能高电压栅级驱动IC，从而减少高达85%的占位空间。新封装根据适当的沿面距离与空隙要求进行设计，来实现适用于高达600V电压的坚固可靠设计。
全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 扩展其封装系列，推出PQFN 4mm x 4mm封装。IR最新的高压栅级驱动IC采用该封装，为家用电器、工业自动化、电动工具和替代能源等一系列应用提供了超紧凑、高密度和高效率的解决方案。
全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 扩展其封装系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封装。新的封装采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技术，为一系列的低功耗应用，包括智能手
新推出的PowIRstage解决方案在一个高密度纤薄6mm x 6mm x 0.9mm PQFN封装中集成了高性能同步降压栅极驱动器、肖特基二极管，以及具有极低通态电阻 (RDS(on)) 和栅电荷的IR最新一代控制与同步MOSFET。
国际整流器公司(IR)目前可提供多种不同的芯片，从而使电源设计人员有机会在中低压范围内选择导通和开关性能最优组合的器件。
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列25 V及30 V器件，采用了IR最新的HEXFET MOSFET硅器件和新款高性能PQFN 3 x 3封装，为电信、网络通信和高端台式机及笔记本电脑应用的DC-DC转换器提供了高密度、可靠和高效率的解决方案。
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称 IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 产品组合，提供完整的中压器件系列，它们采用了5x6 mm PQFN封装及优化铜夹和焊接芯片技术。
