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基于NXP和Infineon产品的快速充电解决方案

2017-12-27 15:34:57 来源:我爱方案网

【大比特导读】大联大控股宣布,其旗下品佳推出基于恩智浦(NXP)和英飞凌(Infineon)产品的快速充电解决方案。

大联大控股宣布,其旗下品佳推出基于恩智浦(NXP)和英飞凌(Infineon)产品的快速充电解决方案。

随着快充电源的普及,享受了快充的便捷之后,用户们开始逐渐摈弃普通速度充电的电源,无线充电大规模应用的趋势已经十分明显。大联大品佳此次推出的NXP和Infineon快速充电方案包括:

1.TEA1901SCP直接充电接口控制器/TEA1905x USB-PD/Quick Charge接口控制器---它是市场上率先将USB PD3.0和Quick Charge2.0、3.0组合在一起的产品之一。其可与TEA1936x和TEA199x配合使用,通过小型手机壁式充电器提供高能效,采用行业最新的接口协议,而无需使用复杂的技术。TEA1901SCP直接充电接口控制器结合了各种先进的快速充电协议,为电池和系统提供广泛的电压和电流调节回路与保护。

2.Infineon BSZ086P03N3C MOSFET,这款Infineon的OptiMOS™ P通道电源MOSFET设计用于提供增强功能,以便达到质量指标。特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的AEC标准。应用包括:直流-直流、电动机控制、汽车和eMobility。

3.Infineon的IPAN65R650CE是650V,650mΩ,10.1A,N沟道功率MOSFET,它属于Infineon的CoolMOS™ CE高压功率MOSFET的技术平台,根据超结原理(SJ)设计,旨在满足消费者的需求。随着产品系列的扩大,英飞凌推出了500V、600V、650V、700V、800V和900V的高压MOSFET。

方案特色

TEA1901x提供最好的安全性,归功于广泛设置了保护功能覆盖多于10次失效情况下不需要额外的光电控制器;

快速电缆分离检测,以避免电弧;

过温保护(OTP);

内部充电器温度的片上温度传感器;

多达2个NTC ADC测量电缆接头温度;

自适应过电压保护(AOVP);

自适应欠电压保护(auvp);

输出短路保护(SCP);

VCC到SW(门漏端口开关)短保护;

开放地保护;

打开VCC检测。

图1:大联大品佳推出的基于NXP和Infineon产品的快速充电解决方案系统方案图

图1:大联大品佳推出的基于NXP和Infineon产品的快速充电解决方案系统方案图

规格说明

支持SCP直接充电协议(HI模式,高压可选);

准确的二次侧电压和电流的测量和报告;

集成客户电缆e-marker检测是否出现在USB连接器;

集成低成本的外部元件端口开关驱动器;

两NTC ADC监测连接器和适配器的温度与OTP保护、检测交流电源断开;

宽VCC和VBUS操作范围(3V至20V)和内置的LDO;

主要功能用户可通过D+D-引脚和存储在MTP的记忆;

编程CV模式内置反馈电路和+/-1%的精度;

编程CC模式与外部检测电阻器和+/-100ma精度。

图2:大联大品佳推出的基于NXP和Infineon产品的快速充电解决方案之规格说明

图2:大联大品佳推出的基于NXP和Infineon产品的快速充电解决方案之规格说明

本文由大比特资讯收集整理(www.big-bit.com)

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