三星：不会盲目增产DRAM颗粒
2010-04-07 17:03:31
来源：大比特电子变压器网
三星半导体业务总裁权五铉近日在出席GSA内存大会时表示，三星不会盲目扩大DRAM颗粒产量，但会重视产品价值，稳定产品价格。力晶半导体总裁Frank Huang也持有相同观点。
权五铉认为，上半年的DRAM市场需求预计将会增强，但是下半年的重点应该放在维持DRAM颗粒价格稳定上。他督促DRAM制造商不要一味的追求产能，而是应该把注意力放在工艺升级和高端产品的研发上。
力晶半导体总裁Frank Huang同样表示，产能的增加只能导致供大于求，产品价格下降。DRAM市场的供应稍紧对未来的发展有利，1Gb DRAM颗粒价格维持在2.5-3美元可以稳定市场的供需平衡。
2005-2007年以来，DRAM制造商一直投入巨额资金来增加产能，这导致DRAM供远大于求，价格大跌。根据市场调研公司iSuppli的统计，从2007年开始，DRAM厂商运营亏损总额达到了160亿美元。
权五铉还称，50nm是三星2Gb DRAM颗粒的主要制程工艺，他们计划于2012年开始采用20nm级工艺生产8Gb DRAM颗粒。对于NAND闪存，三星目前主要利用30nm级工艺生产32Gb颗粒，2012年则将升级到10nm。
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