动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)是一种半导体存储器,主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特(bit)是1还是0。由于在现实中晶体管会有漏电电流的现象,导致电容上所存储的电荷数量并不足以正确的判别数据,而导致数据毁损。因此对于DRAM来说,周期性地充电是一个无可避免的要件。由于这种需要定时刷新的特性,因此被称为“动态”存储器。相对来说,静态存储器(SRAM)只要存入数据后,纵使不刷新也不会丢失记忆。
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训练生成式人工智能(GenAI)神经网络模型通常需要花费数月的时间,数千个基于GPU并包含数十亿个晶体管的处理器、高带宽SDRAM和每秒数太比特的光网络交换机要同时连续运行。虽然人工智能有望带来人类生产力的飞跃,但其运行时能耗巨大,所以导致温室气体的排放也显著增加。
根据TrendForce集邦咨询数据,预估第四季Mobile DRAM及NAND Flash合约价均上涨。存储芯片的整体涨势或将延续至明年第一季度。
受惠与全球5G市场的发展,再加上全球疫情趋缓,全球存储器事业逐渐恢复合理化。存储器需求以及价格都在增涨。全球DRAM市场格局三分天下,其中韩国企业在DRAM市场与NAND Flash市场中占据较大份额,可见韩国厂商在DRAM,NAND Flash两类数据存储器产业链影响力突出。
因为程序运行的输入数据集经营规模一直在扩大,所以我们就需要更高的DRAM容积才能满足我们的运行需求,但是,DRAM在容积增加的状况下,维持其效率比等就会非常困难,要想解决这一困难,我们应该怎么做呢?
1月份开始担任长江存储执行副董的高启全日前对外表示长江存储已经组建了500多人的研发队伍,正在研发自己的DRAM制造技术,报道还称国产DRAM很有可能直接进入20/18nm先进工艺时代。
全球领导厂商美满电子科技(Marvell,Nasdaq:MRVL)今日宣布,推出全球首款面向大众市场移动计算解决方案的DRAM-less NVMe(高速非易失性内存),采用业界领先的NANDEdge™低密度奇偶校验(LDPC)技术,支持TLC和3D NAND。
为了在嵌入式系统设计中实现对SDRAM存储器的访问,本文提出了一种基于AMBA-AHB总线规范的SDRAM控制器设计方案。
韩国业界8日消息,三星电子将从下半年起扩大车载半导体事业。车载半导体最近需求开始上升。据悉,三星首先计划将目前集中于DRAM车载半导体的事业范围扩大到存储设备。
2013年8月8号---根据全球市场研究机构TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange表示,由于DRAM产业寡占市场格局确立,加上各大DRAM供货商按照原先规划减少标准型内存部位影响下,主流模组4GB均价在第二季上扬16%,由23.5美金涨至27.25美金,以4Gb颗粒来计算已达近年新高价格。