摘要：  当问到“究竟何时DRAM才有出头天?”时，从历史的角度来看，答桉是：“当它达到Slow SRAM的价格/性能定位时。”然而，怎样的成本才合理呢?

关键字：  DRAM，  LLDRAM，  SRAM

低延迟DRAM (LLDRAM)的存在已将近10年之久了。然而，潜在用户对于採用这些产品仍然感到忧虑，因为他们都曾经历过多家供应商、产品互不相容、许多新兴业者加入竞逐但却也有更多厂商消失，以及供货来源有限等历史。

众多新加入的厂商有助于减轻业界对LLDRAM所感到的不确定性。但在该产品蓬勃发展之前，业界还必须就LLDRAM究竟可填补广大记忆体领域中的哪一块达成共识。

在1975到1995年之间，有三种主要的挥发性记忆体技术分别独立于电脑市场上：DRAM、慢速SRAM (Slow SRAM)，以及快速SRAM (Fast SRAM)。从相对的每位元价格(PPB)观点来看，这些技术之间维持着恆定的关係。无论在任何时间点，使用者都可预期Slow SRAM的每位元价格大约会比通用型DRAM高出10倍。同样，Fast SRAM会再多出10倍，而晶片上记忆体的成本则远不只另一个10倍。今天，我们拥有了新的非挥发性记忆体产品，它提供更高的频宽介面，然而，当我们从延迟的角度来看，记忆体的延迟特性与每位元成本间仍然存在着相对应的关係。

当问到“究竟何时DRAM才有出头天?”时，从历史的角度来看，答桉是：“当它达到Slow SRAM的价格/性能定位时。”然而，怎样的成本才合理呢?

为了让记忆体在特定的时间范围内加快技术进展，记忆体晶片设计人员们开发出愈来愈小型的记忆体模组，以缩短讯号线，并减少寄生负载，从而让更多快速扩增的微小讯号能在记忆体单元上被检测到。较小的模组意味着更多的解码器、更多放大器，以及越来越多的驱动器、更多的路由，和更大的晶粒。LLDRAM以增加晶粒尺寸和产品成本为代价在延迟特性方面击败了通用型DRAM。这就是为何LLDRAM现在占据了在在价格/性能方面一度以Slow SRAM的领域──儘管事实上二者都是以DRAM类型的位元单元所建构。

网路设计师绝对有权知道LLDRAM技术在网路市场的应用潜力。我们已经用20年的时间来证实RAM类型产品及其价格/性能特性在电脑市场上的可行性。我们也可以预期同样的事情也会发生在网路记忆体市场。只要LLDRAM产品维持其产品优势，他们的生产成本就可以维持在传统Slow SRAM的每位元成本范围内，而这将使他们更加巩固市场。

因此，何时DRAM才能真正拨云见日?要等到它能像slow SRAM一样执行时吗?或是它的售价与Slow SRAM的相对每位元价格相同?两者都是。但也许对网路系统设计者来说，好消息是一些记忆体供应商已经瞭解LLDRAM在需要高性能、高度溷合、长使用寿命的网路记忆体领域中所能提供的优势了。目前的LLDRAM供应商事实上也是专攻网路记忆体的SRAM供应商。而未来，最好的发展或许是供应商能够像支援网路SRAM一样支援DRAM。