日本一研究机构将ZnO类紫外LED功率提高至100μW
摘要: 据日媒报道,日本东北大学与罗姆将ZnO(氧化锌)类紫外led的发光强度提高到了100μW,为原来产品的1万倍。这一发光强度是InGaN与GaN类紫外LED的约110倍。
关键字: 紫外LED,MOCVD,照明灯
据日媒报道,日本东北大学与罗姆将ZnO(氧化锌)类紫外led的发光强度提高到了100μW,为原来产品的1万倍。这一发光强度是InGaN与GaN类紫外LED的约110倍。
东北大学原子分子材料科学高等研究机构教授川崎雅司表示,此项成果明确了追赶GaN类产品的前进道路。
据了解,制造LED元件时采用了MBE(分子束外延)法,并开发出了不使用自由基化气体的掺杂(Doping)法。这样,“有望采用量产性更高的MOCVD(有机金属气相沉积)法”。目标用途是用于液晶显示器的背照灯及照明灯的白色LED。这是由东北大学的川崎、东北大学金属材料研究所、东北大学多元物质科学研究所及罗姆共同取得的研究成果。
研究小组表示,采用紫外LED的白色LED,与搭配使用蓝色LED与黄色荧光体的InGaN及GaN类白色LED相比,有望提高演色性及色再现性。另外,该小组还称,制造GaN类LED时很难采购到高品质的低价单晶底板,但ZnO类LED可轻松合成单晶底板。因此,有望以较低的成本量产采用单晶底板的LED元件,这种底板可使发光层与网栅轻松匹配。
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