电性过度应力的不明问题
2011-07-04 11:52:11
来源：大比特半导体器件网
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摘要： 一般人都会使用装置的内部 ESD 电路做为 EOS 问题的防护措施。不过经常出现的问题是，在通导电源前，IC 一切正常，但是通导电源并施加输入讯号后，就整个瞬间损坏。EOS 问题有可能会严重到造成 IC 过热，而使得晶粒及封装材料溶化(参考图一)。
当客户反应公司产品不好，而被问及产品有什麽问题时，经常得到的反应是「就是不好用」。其实多半是由于使用电性过度应力 (EOS) 时不慎造成的误会。电性过度应力的其中一个明显来源是静电放电(ESD)问题，电压相差数百或数千伏特且处于不同静电位的两个物体彼此接近时，就可能发生 ESD 问题。
另外，系统中的多个电源在不同的时间开启，也可能发生 ESD 问题，这会使得系统中的装置有一个或多个接脚出现过度应力状况。另一种过度应力的状况是，系统使用不同的电源时，系统的外部装置或个别零件所发出的讯号出现在 op amp 的输入或输出。若要确保设计的系统可靠、便于製作且潜在现场故障率低，就需注意电路的过度应力问题。
一般人都会使用装置的内部 ESD 电路做为 EOS 问题的防护措施。不过经常出现的问题是，在通导电源前，IC 一切正常，但是通导电源并施加输入讯号后，就整个瞬间损坏。EOS 问题有可能会严重到造成 IC 过热，而使得晶粒及封装材料溶化(参考图一)。
圖一 發生 EOS 問題後受損的 IC
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