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四种将被氮化镓革新电子设计的中压应用

2024-04-16 15:17:00 来源:德州仪器 点击:3479

引言

随着技术的迅速发展,人们对电源的需求亦在不断攀升。为了可持续地推动这一发展,太阳能等可再生能源被越来越多地用于电网供电。同样,为了实现更快的数据处理、大数据存储以及人工智能(AI),服务器的需求也在呈指数级增长。鉴于这些趋势,设计人员面临着一项重大挑战:如何在持续提升设计效率的同时,在相同的尺寸内实现更高的功率。

这一挑战已经推动了氮化镓(GaN)在高压电源设计中的广泛应用,原因在于GaN具有两大优势:

· 提高功率密度。GaN的开关频率较高,使设计人员能够使用体积更小的无源器件(如电感器和电容器),从而缩小电路板的尺寸。

· ‌提升效率。相较于硅设计,GaN出色的开关和导通损耗性能可将损耗降低 50% 以上。

除了业界已经采用的高压GaN(额定值 >=600V)外,新的中压GaN解决方案(额定值 80V-200V)也日益受到欢迎,可在高压GaN之前无法支持的电源系统中实现更高的功率密度和效率。

这篇文章将详述四个主要的中压应用领域,这些领域正在逐渐采用GaN技术

应用领域 1:太阳能

太阳能是发展最快的可再生能源,从2021年到2022年增长了26%,预计在未来七到八年内,太阳能利用将以约11.5%的复合年增长率发展。随着太阳能电池板安装数量的增加,人们对GaN系统效率和功率密度的需求也将随之增长,因为这是一种对空间需求较高的技术。‌对于太阳能电池板子系统而言,LMG2100R044和LMG3100R017器件有助于将系统尺寸缩小40%以上。

太阳能主要通过太阳能电池板的两种子系统得以实现:一种是升压级后跟逆变器级,将直流电压范围转换为交流电压(如图1所示);另一种是降压和升压级,其中电源优化器将不断变化的直流电压转换为常见的直流电压电平(利用最大功率点跟踪),以输送到串式逆变器(如图2所示)。

微型逆变器框图

图 1 微型逆变器框图

 

电源优化器框图

图 2 电源优化器框图

应用领域 2:服务器

考虑到我们仍处在人工智能革命的初期阶段,为了运行复杂的机器学习算法并实现更大、更复杂数据集的存储,服务器的需求将呈指数级增长。GaN技术要求每个级的效率高于98%的高密度GaN设计将能够满足这些增强型处理和存储需求。

如图3所示,服务器电源应用中的三个主要系统可以采用100V至200V的GaN设计

· 电源单元(PSU)。GaN开放计算项目的变化正在提升48V输出的热度;然而,所需80V和100V硅解决方案的损耗(栅极驱动和重叠损耗)相较于以前的解决方案有大幅增长。诸如 LMG3100 等GaN解决方案有助于尽可能减小电感-电感-电容器级(LLC级)次级侧同步整流器中的上述损耗。

· 中间总线转换器(IBC)。GaN系统将PSU输出的中间电压(48V)转换为较低的电压,然后传送至服务器。随着48V电压电平的流行,IBC有助于减少服务器子系统中的I2R损耗,并使汇流条和电力传输线的尺寸和成本都得到降低。IBC的缺点是其在电源转换中又增加了一步,可能会对效率产生影响。因此,除了OEM经测试可获得高效率和高功率密度最佳组合的几种新拓扑外,请务必充分利用LMG2100和LMG3100等高效GaN器件。

· 电池备份单元。GaN降压/升压级通常将电池电压(48V)转换为总线电压(48V)。当市电线路断电且电力流为双向时,您也可以使用电池备份单元进行电池电源转换。不间断电源之所以使用此级,是因为它仅通过电池直接执行一次直流/直流转换,避免了由直流/交流/直流转换引起的损耗。

服务器电源框图

图 3 服务器电源框图

应用领域 3:电信电源

在电信无线电设备中,电源有可能采用GaN设计。由于无线电设备通常安置在户外,仅依赖自然冷却,因此高效率显得尤为重要。此外,随着移动网络(如5G、6G)的逐步发展,加快网络速度和数据处理的需求也在增加,因此需要具有极低损耗的高密度GaN设计。LMG2100有助于将GaN设计的功率密度提高40%以上。

在典型的中压应用中,GaN技术将负电池电压电平(通常为-48V)的电源,利用反向降压/升压或正向转换器拓扑转换为适用于功率放大器的+48V电源,或者利用降压转换器拓扑为现场可编程门阵列和其他直流负载供电。

应用领域 4:电机驱动

没错,您可以在电机驱动电路中使用GaN技术,其应用领域广泛,包括机器人、电动工具驱动以及两轮牵引逆变器设计等负载曲线不同的应用。GaN技术的零反向恢复特性(因为不存在体二极管)导致二极管反向偏置电流没有稳定时间,从而降低了死区损失,提高了效率。如前所述,GaN的开关频率更高,电流纹波更低,这样就可以减小无源器件的尺寸,从而实现更平滑的电机驱动GaN设计。

图4展示了如何在电机驱动单元中添加GaN设计。

电机驱动单元框图

图 4 电机驱动单元框图

结语

在各种中压应用中,GaN技术有潜力取代传统的硅FET。100V至200V GaN的其他应用领域包括通用直流/直流转换、D类音频放大器,以及电池测试和化成设备。此外,GaN技术还能提供更高的开关频率和更低的功率损耗,这些优势在简化电源GaN设计的集成电源级中尤为突出。

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