英特尔2010年将投资400亿美元用于占非易失性存储器
2007-03-13 09:37:27
来源：半导体器件应用网
英特尔公司的闪存事业部高管BrianHarrison向外界发布有关于该公司未来将如何抢占非易失性存储器non-volatile存储（NVS）市场的计划； 这个市场在2006年规模约为200亿美元，预测到了2010将增长至400亿美元。
英特尔根据NVS以91%的年消耗速度增长，再加上手机、运算各领域的应用与消耗，该公司对于抢占这个市场的目标非常有信心。在NOR方面，Harrison强调英特尔之前已经推出六代MLC产品，并且拥有M18系列能与90、65及45奈米node相容。在06年第四季，该公司更推出第一款65奈米1-gigabyteNOR芯片； 这款芯片的推出距离90奈米芯片只有一年。 在NAND方面，英特尔与美光(Micron)在06年7月合资的IMFlashTechnologies公司推出基于50纳米制程的4GNAND闪存样品。
展望未来，英特尔非常看好新型态的存储体phase-changememory(PCM)将具有很高的发展潜力，因为它兼具RAM、NOR与NAND的优点。PCM具有write-over的特性，也就是旧有的资料无需先被删除就可直接再写上新的资料。Intel预定在今年第二季开始提供90纳米制程样品与标准样品，在今年底之前可能上市。
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