Vishay 面向高可靠性应用，推出新型超高精度轴向 Z 箔电阻 --- VSA101

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Vishay 面向高可靠性应用，推出新型超高精度轴向 Z 箔电阻 --- VSA101

2008-07-19 09:32:43 来源：半导体器件应用网

    器件具有低于 -40 dB 的电流噪声及高于 25000 V 的 ESD 保护

    日前，Vishay Intertechnology， Inc.推出新型 VSA101 轴向 Bulk Metal® Z 箔电阻，旨在为满足在高可靠性应用中对超高精度电阻的需求。这款新型器件在 0°C～+60°C 以及 -55°C～+125°C（+25°C 参考温度）的温度范围内分别具有 ±0.05 ppm/°C 及 ±0.2 ppm/°C 的低绝对 TCR、额定功率时 ±5 ppm 的出色 PCR（“R，由于自加热”）、±0.005% 的容差，以及 ±0.005% 的负载寿命稳定性。

    该新型电阻基于 Vishay 的突破性“Z 箔”技术，该技术极大降低了电子组件对周围环境变化 (TCR) 及应用功率变化 (PCR) 的敏感度。与其它任何电阻技术相比，Z 箔技术将稳定性提高一个数量级，从而可使设计人员确保在固定电阻应用中实现高精确度。

    VSA101 的构造包含硅橡胶封装，该封装可使电阻元件免受外应力的影响，其模塑外壳提供了最大程度的保护，能够应对所有环境情况。该新器件专为用于以下方面的信号调节与高精度仪表放大器而进行了优化：包括医疗、测试与测量、军事、航空、实验室、钻孔及高端立体声设备中超稳定的高可靠性产品。

    通过在一个器件中结合众多超高精度规范，VSA101 可使设计人员实现更高的性能。VSA101 在 +70°C、额定功率时具有 2000 小时的 ±0.002% 负载寿命稳定性；+125°C 时 0.3 W 的额定功率；低于 0.1 PPM/V 的低电压系数；低于 -40 dB 的电流噪声，以及 0.05 μV/°C 的热 EMF。该电阻具有 1.0 ns 的快速上升时间，同时无振铃，并且采用无电感 (< 0.08 μH)、无电容设计。

    该器件具有最高的 ESD 抗扰性，可经受住 25kV 以上的静电放电，因此具有更高可靠性。在 5 ～100 k的电阻范围内，通过无需附加费用的校准可获得具任何容差、任何电阻值的器件。

    目前，VSA101 超高精度电阻的样品及量产批量已可提供，样品的供货周期为72 小时，标准订单为三周。