海力士Q3将投产57nm NAND闪存 明年Q1有望推进至48nm工艺
2007-06-29 09:10:30
来源：半导体器件应用网
日前有消息传出，为了进一步削减成本同时更好地与三星电子以及东芝等厂商进行竞争，海力士半导体计划于今年第三季度在其8英寸工厂采用57纳米制程进行NAND闪存生产。
来自海力士下游客户的消息称，海力士计划将NAND闪存生产所采用的60纳米制造工艺升级为57纳米制造工艺，与此同时，为了进一步削减成本，海力士将继续在其8英寸工厂进行NAND闪存生产。据了解，通过此次技术升级，海力士NAND闪存生产成本预计将削减20%。根据市场研究机构iSuppli公布的研究数据显示，海力士目前在全球NAND闪存市场的占有率达到18.5%。
与此同时，海力士还将在明年第一季度引入48纳米生产工艺，届时可能不会继续使用8英寸晶圆工厂。当前，海力士的主要竞争对手三星电子和东芝均已开始生产50纳米或56纳米NAND闪存，尤其是东芝已能较好地控制其56纳米生产工艺的成品率和产量，不过三星52纳米MLC NAND闪存生产仍存在瓶颈。
市场研究机构Macquarie Research表示，海力士60纳米制程转移速度低于预期，但由于该公司减少DRAM芯片产能，并将更多晶圆用于NAND闪存生产，产量因此得以提高。该公司同时预测，海力士NAND位元增长率将在今年下半年有所加快，预计将达到78%。
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