NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备,在不超过4GB的低容量应用中表现得尤为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品,NAND被证明极具吸引力。NAND闪存是一种非易失性存储技术,即断电后仍能保存数据。它的发展目标就是降低每比特存储成本、提高存储容量。
有关“NAND闪存”的最新话题,搜索2285 次
2016年6月2日,台北讯 ——在设计及推广用于固态存储设备的NAND闪存控制器方面处于全球领导地位的慧荣科技(Silicon Motion Technology Corporation, 纳斯达克交易代码: SIMO),今日推出了SM2258这款全球首个交钥匙式ASIC/固件 SATA 6Gb/s SSD控制器解决方案,可支持所有主流NAND供应商最新发布的3D TLC NAND产品。
在半导体性能创新方面,专家们正专注于三个方面:高级的新材料,比如石墨烯和取代硅的碳纳米管;基于3D堆叠的半导体工艺技术;结合存储器和非存储器芯片的单芯片方案。通过成功制造3D NAND闪存和14 nm的FINFET,三星电子已经开始新的探索。存储器和非存储器芯片之间的集成还在持续。
在设计及推广用于固态存储设备的NAND闪存控制器方面处于全球领导地位的慧荣科技(Silicon Motion Technology Corporation, 纳斯达克交易代码: SIMO)近日宣布推出其专为车载信息娱乐(IVI)系统设计的汽车级PATA及SATA FerriSSD解决方案。
尽管半导体技术的发展已经进入成熟阶段,但其革新将会继续进行。存储器方面,NAND闪存的容量目前正以超过穆尔法则的速度,即3倍的年率不断扩大。
三星电子近日表示,已在全球最先开始量产突破半导体技术极限的新概念3D垂直堆叠型结构NAND闪存芯片(3D Vertical NAND, 3D V-NAND)。
东芝公司(Toshiba)宣布将在今年八月激活位于日本三重县四日市的 Fab 5 新厂第二期工程,准备增加 NAND 闪存的制造产能,同时转移至 3D NAND 生产。
东芝公司(Toshiba Corporation)已经开发出第二代19纳米工艺技术,该技术将于本月晚些时候用于量产每单元2比特的64吉比特NAND存储芯片。
随着多媒体数据传输的日益普及,高清影片和高画质图片等多媒体资料的数据容量早已突破GB级。这样大的数据容量,传统的传输方式往往要花费数分至数十分钟不等。拥有Flash高速储存技术的IC设计公司银灿科技(Innostor)于IIC China 2013展会亮相,展出了其USB 3.0方案芯片IS916,USB 3.0转SATA/PATA方案芯片IS611,以及最新的USB 3.0双通道NAND闪存控制
IC设计公司慧荣科技(Silicon Motion)在固态储存设备的NAND闪存控制芯片和专业射频IC市场居领先地位。其产品广泛使用于多款目前市面上流行的智能手机,及其他的移动通信设备和计算机。本届IIC China 2013展会上,该公司携其USB3.0显示模组、单芯片固态硬盘等产品亮相,并介绍了FerriSSD、LynxUSB等产品信息。