意法半导体完成NAND闪存产品70nm技术升级

首页 > 资讯 > 综合资讯 > 意法半导体完成NAND闪存产品70nm技术升级

意法半导体完成NAND闪存产品70nm技术升级

2006-12-05 09:33:24 来源：半导体器件应用网

技术领先的512-Mbit小页闪存和1、2、4、8-Gbit 大页闪存产品现已上市，为各种消费电子和无线通信产品提供海量存储解决方案

意法半导体今天宣布公司采用70nm 制造工艺的NAND闪存产品全线上市。512-Mbit (小页)和1/2/4/8-Gbit (大页)闪存升级到ST的先进的70nm制造工艺，使该系列产品进入NAND闪存技术的最先进行列，升级后的产品价格低廉，功耗更小。

高密度的存储器芯片为各种计算机和消费电子应用产品提供海量数据存储功能，例如，数码相机、PDA、GPS导航系统、闪存卡和U盘、打印机、机顶盒（STB）、数字电视机、汽车多媒体系统和多媒体手机。

该系列全部产品都具有速度极快的数据传输和擦除功能。该系列产品的寻址线路和数据输入/输出通过一条8位或16位总线传输信号，这种多路复用技术不仅可以减少封装引脚的数量，还允许系统使用一个模块化的NAND接口，无需改变芯片的占板面积即可使系统自动适应高密度或低密度闪存。

ST还为新的存储器芯片提供一套软件工具，帮助用户快速开发使用新闪存芯片的应用产品，同时还能延长产品的使用寿命。工具包括纠错代码(ECC)软件；识别失败的擦写操作并将无效存储块上的数据复制到有效区块的坏块管理(BBM)；通过在所有的存储块中分配擦写操作减缓芯片老化的平均读写算法；文件系统OS本机参考软件；硬件仿真模型。

存储器由按页读写的存储块组成。每个存储页都预留一个备用空间，通常用于纠错代码、软件标记或坏块识别。数据复制程序模式可以把存在某一页的数据直接写到另一页中，无需任何额外的缓存空间。新产品还提供一个擦除时间仅2ms的存储块擦除指令。每个存储块额定擦写循环100，000 次，数据保存期限10年。

新产品具有“无需介意芯片启动”（Chip Enable Don’t Care）功能，这个功能可以简化微控制器的接口设计，以及NAND闪存与其它类型存储器（NOR闪存和xRAM）的整合方法。在代码和工作内存采用速度更快的存储器，而大容量文件存储采用成本更加低廉、密度更高的NAND闪存的应用中，不同类型的存储器芯片整合在一个封装内是最常用的解决方案。

F70 SLC NAND闪存现已投入量产，该系列产品具有以下功能：

产品编号	阵列结构	工作电压	封装
NAND512xxA2C	32 页x 4096 块	1.7 到1.95V 2.7 到3.6V	TSOP48 VFBGA63 9x11
NAND01GxxB2B	64 页x 1024 块	1.7 到1.95V 2.7 到3.6V	TSOP48 VFBGA63 9x11
NAND02GxxB2C	64 页x 2048 块	1.7 到1.95V 2.7 到3.6V	TSOP48 VFBGA63 9.5x12
NAND04GW3B2B	64 页x 4096 块	2.7 到3.6V	TSOP48
NAND08GW3B2A	64 页x 8192 块	2.7 到3.6V	TSOP48