意法半导体(ST)高效功率MOSFET晶体管提高照明应用性能
2006-12-07 10:12:26
来源：半导体器件应用网
世界领先的功率半导体产品制造商之一的意法半导体今天推出了新系列功率MOSFET产品的第一款产品。 通态电阻极低，动态特性和雪崩特性非常优异，新系列产品为客户大幅度降低照明应用的传导损耗、全面提升效率和可靠性带来了机会。
商用照明应用市场对更高的功率密度和更低的成本的日益增长的需求激励半导体制造商挑战器件优化的极限。新产品STD11NM60N就是一个这样的挑战半导体器件技术极限的实例，该产品采用ST自主开发的第二代 MDmeshTM 技术，最大通态电阻 RDS (ON) 450 mΩ，该器件的电阻值比上一代MDmesh技术降低了55%，而这一优异特性并不是以牺牲对其温度特性的精确控制为代价的。
除通过最小化电阻值来大幅度降低通态损耗外，这个600V产品的主要特性还包括一个节能的驱动电路，该电路使MOSFET能够在较低的VGS(th)（栅阈压）电压下驱动更高的电流。 事实上，虽然阈压范围（2V）没有变化，但是驱动该器件所需的VGS电压范围降低了，从而优化了驱动电路的性能，保证了器件具有优异的防止电路意外导通的噪声抑制性能。
STD11NM60N的主要特性包括一个优异的二极管dv/dt性能和出色的雪崩特性，使用户能够把工作温度保证在正常的工作温度范围内。因为传导损耗和功耗都很低，该器件还有助于客户降低散热器的尺寸，从而大大节省了电路板的空间。
该芯片精巧的尺寸，再加上微型的DPAK/IPAK和TO-220FP 封装，使之特别适合照明应用产品，例如，大功率因数电子镇流器和高强度放电灯（HID）电子镇流器。
STD11NM60N现已量产。 订购10，000件，单价0.90美元。
技术说明:
ST的MDmeshTM (多漏极网格TM)技术的卓越性能归功于一个创新的漏极结构，在这个漏极结构中，漏极是半导体纵向延伸的垂直P型带与横向N型源极薄带组成的隔离阵列。 在新一代 MDmesh技术MDmesh II中，得到进一步改良的P型带阵列比前一代MDmesh技术降低通态电阻 55% RDS (ON) ，而这个优异的性能不是以牺牲对温度特性的精确控制为代价的。
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