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本周，多家半导体厂商发布最新产品进展，涵盖MOSFET驱动器、二极管、生物传感芯片、电源降压芯片等等。
全球知名半导体制造商罗姆生产的EcoSiC™产品——SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SBD”），被日本先进电源制造商COSEL CO., LTD. 生产的三相电源用3.5kW输出AC-DC电源单元“HFA/HCA系列”采用。
Littelfuse公司今日宣布推出SMFA非对称系列表面贴装瞬态抑制二极管，这是市场上首款非对称瞬态抑制解决方案，专为保护碳化硅（SiC）MOSFET栅极免受过压事件影响而设计。
Palmas复合型电源浪涌保护器将压敏电阻（MOV）、陶瓷放电管（GTD）、瞬态抑制二极管（TVS）、浪涌电阻（SR）, 温度控制保险管等各种防雷、瞬态过电压保护元器件、通过串联和并联的矩阵方式排列在PCB电路板，由主放电电路和控制电路组成。解决了残压、响应时间、漏电流、通流量、工频续流、使用寿命的问题。
威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出16款新型第三代1200V碳化硅（SiC）肖特基二极管。
英飞凌科技股份公司的新型CoolSiC™混合分立器件采用 TRENCHSTOP™ 5 快速开关 IGBT 和 CoolSiC 肖特基二极管。中国领先的新能源汽车功率电子和电机驱动器制造商深圳威迈斯新能源股份有限公司（VMAX）将这款器件用于其下一代6.6 kW OBC/DCDC车载充电器。
电机驱动器是一种电子设备，用于控制电机的速度、转向和位置。它由电源、控制电路和功率输出部分组成。通常使用交流电源或直流电源作为电源输入，并使用电子元件(如晶体管、场效应管、IGBT、功率二极管等)控制电机输出功率。
近日，纳晶科技全球首发最高分辨率（300PPi）的喷墨打印主动式矩阵量子点发光二极管（AM-QLED）显示屏，这意味着纳晶AM-QLED技术量产进程又迈出了里程碑式的一步。
英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管，取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，进一步优化了系统效率、性能与成本之间的微妙平衡。
功率二极管晶闸管广泛应用于AC/DC变换器、UPS、交流静态开关、SVC和电解氢等场合，但大多数工程师对这类双极性器件的了解不及对IGBT的了解，为此我们组织了6篇连载，包括正向特性，动态特性，控制特性，保护以及损耗与热特性。
