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新品速递 | 英飞凌、圣邦微电子、先楫半导体创新产品解析

2025-03-26 18:39:00 来源:整理自各品牌官网 作者:整理自各品牌官网 点击:1167

半导体技术日新月异,创新产品不断推动工业、能源和消费电子领域的升级。

本期带来三大领先企业的重磅发布:英飞凌、圣邦微电子、先楫半导体带来最新半导体解决方案。

这些突破性产品将如何赋能未来应用?让我们一探究竟!

英飞凌:

市场首款2000V分立式SiC二极管器件

英飞凌CoolSiC™肖特基二极管10-80A 2000V G5系列,是市场上首款2000V分立式SiC二极管,广泛应用于光伏组串逆变器,电动汽车充电中。

该系列现在采用TO-247-2封装。在高达1500V的高直流母线系统中,可实现更高的效率和设计简化。另外,通过采用.XT互联技术,该器件还具有一流的散热性能。

图/英飞凌

图/英飞凌

  • 产品特点:

无反向恢复电流/无正向恢复

高浪涌电流能力

开关特性不受温度影响

即使在高工作温度下,正向电压也很低

窄的正向电压分布

明确的dv/dt鲁棒性

.XT互联技术可实现同类最佳的散热性能

  • 应用价值:

市场上首款2000V分立式碳化硅二极管器件

与1700V碳化硅二极管相比,在1500V(直流)系统中有足够的过压裕量

引脚与市场上现有的2引脚封装兼容

高功率密度

可提供匹配的CoolSiC™ MOSFET 2000V

拓扑简化

圣邦微电子:

具备功率监控和SMBus功能的控制器

圣邦微电子推出具备功率监控和 SMBus 功能的 1 至 4 节电池充电控制器 SGM41538/SGM41538B。

广泛应用于支持电池/电容器备份的系统,笔记本电脑、超级本、二合一设备和平板电脑,工业与医疗设备及便携式设备。

SGM41538 电池充电典型应用 图/圣邦微电子

SGM41538 电池充电典型应用 图/圣邦微电子

SGM41538/SGM41538B 功能框图

SGM41538/SGM41538B 功能框图

图/圣邦微电子

  • 核心特性:

高密度设计:适应于1-4节电池,高密度设计,减少外部元件 。

混合动力增强模式:电池可辅助适配器供电,且具备从充电到放电的超快速切换功能。

纯电池升压模式:智能转换调节,调整系统电压。

利用效率提升:配备了精确的功率和电流监控功能,支持两级输入电流限制。

智能电源管理:自动切换电池/适配器供电,集成栅极驱动器和SMBus接口,调节充电效率。

支持多重保护:防止过压、过流、电池短路、电感短路和 MOSFET 短路。支持四种开关频率,并通过 ILIM 引脚实现对系统电流限制的实时控制。

工业级可靠性:TQFN-4×4-28BL绿色封装,结温范围-40℃至+125℃ 。

先楫半导体:

全新一代600MHz RISC-V混合信号MCU

先楫半导体全新一代高性能混合信号微控制器 HPM6P00 系列,聚焦工业自动化、智能电源及精密伺服控制领域。

作为该系列的旗舰产品,HPM6P81内置RISC-V 双核,主频高达 600 MHz,支持多达 32 路高分辨率 PWM 输出,配备 4 个独立 16 位 ADC(多达32个模拟输入通道) 和 8 个高速模拟比较器,并集成 Σ∆ 数字滤波、硬件电流环等高精度运动控制模块。

图/先楫半导体

图/先楫半导体

  • 高实时性双核:

RISC-V 双核支持双精度浮点运算及强大的DSP扩展,主频600MHz,性能超过 6780 CoreMark™ 和 3420 DMIPS。

32KB 高速缓存 (I/D Cache) 和双核各高达 256KB 的零等待指令和数据本地存储器 (ILM / DLM),加上256KB 通用 SRAM,极大避免了低速外部存储器引发的性能损失。

双核各司其职,可分别专注控制环路运算和通讯等其他任务,实现算力与实时性的双重突破。

  • 增强PWM输出:

输出通道多达32个通道,全部支持100ps级别高分辨率PWM调制精度,PWM波形灵活。

支持最多32路独立PWM或者16对互补PWM输出。

PWM输出可通过互联管理模块与ADC等外设协同。

  • 强大的模拟外设:

4个16位ADC,转化率超过2MSPS,共32个模拟输入通道。

ADC支持差分和单端模拟输入,差分模式下ADC有效位数可达13.5位。

8个模拟比较器,内部集成12b DAC作为参考,可以对输入模拟信号进行上下限的窗口监测。

  • 实时控制系统:

硬件空间坐标变换单元,实现硬件Clark和Park变换。

闭环控制器。

各类位置编码器接口,可以连接不同制式的绝对式和脉冲式编码器,实现旋转变压器解码。

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