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此前外国媒体报道称，英国的科学研究工作人员找到一种新式的“内存”，这类新材料做成的内存芯片具有三大特性——超低能耗、写入不毁坏数据、非易失性。
据业内人士透露，GlobalFoundries和德州仪器(IT)已经击败了台湾内存芯片供应商，获得购买力晶科技的P3 300毫米(12英寸)晶圆厂的权利。
9月12日，全球第一大内存芯片生产厂商——韩国三星电子，在西安的存储芯片工厂宣布动工。预期可于2013年底前量产10nm级NAND型闪存(NANDFlash)，成为三星有史以来投资额最高的海外芯片制造厂。
中国上海(2012年7月18日)–空气产品公司 (Air Products纽约证券交易所代码：APD)，一家全球领先的工业气体供应商，今日宣布其已获得三星电子有限公司的一项重要合同，以支持三星位于陕西省西安市新的内存芯片厂项目的发展。该项目是三星电子迄今最大的海外投资项目，也是中国最先进的芯片厂。
美光将会开始生产利用IBM的3D芯片制程硅穿孔(through-silicon vias; TSVs)所打造的第一颗芯片。硅穿孔制程将运用在美光的混合式记忆体立方之中。美光芯片的部分零件将会在IBM位于纽约的晶圆厂生产。
目前力晶与茂德两家都承受着沉重的债务压力，力晶向银行借贷额约460亿新台币，茂德这一数字为570亿新台币。
三星和美光在共同声明中表示，DRAM芯片制造商应该开始向名为“hybrid-cube”的混合内存芯片技术过渡，该技术就是将一个芯片叠加到另一芯片之上。新技术将使得内存芯片更快、更高效的向处理器提供数据。
债务、亏损与价格下跌造成的沉重负担，使内存芯片厂商茂德科技(ProMOS Technologies Inc.)、力晶科技(Powerchip Technology Corp.)和尔必达(Elpida Memory Inc.)承受的压力越来越大，或将寻求合并或退出该产业。
南韩三星电子(Samsung Electronics) DS(Device Solution)事业总括部门社长权五铉，及海力士(Hynix)社长权五哲等南韩半导体业界大老近期均异口同声表示，2011年下半内存芯片市况将不透明。权五铉表示，一般来说，下半年内存芯片市况应会比上半年好，然而近来变量相当多。2011年下半可能会与上半相同，半导体价格可能会大幅攀升，也可能没有任何表现。
美国内存芯片厂商美光与南亚和华亚两家内存芯片公司的关系一直非常密切。而且美光有可能会采取措施加强其与台湾内存厂商的联盟关系，因为近期有传言称台湾第二大内存芯片厂商南亚很可能会将其所持有的华亚公司股份出售给美光公司。
