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英飞凌科技股份公司推出采用 OptiMOS™ MOSFET技术的SSO10T TSC 封装。该封装采用顶部直接冷却技术，具有出色的热性能，可避免热量传入或经过汽车电子控制单元的印刷电路板（PCB）。
英飞凌科技股份公司推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求，而且即使面对严格的高电压和开关频率要求，也不会降低系统可靠性。
安森美宣布推出采用了新的场截止第7代(FS7)绝缘栅双极晶体管(IGBT)技术的1200V SPM31智能功率模块(IPM)。与市场上其他领先的解决方案相比，SPM31 IPM能效更高、尺寸更小、功率密度更高，因而总体系统成本更低。
美国加利福尼亚州圣何塞，2016年11月3日 —赛普拉斯半导体公司(纳斯达克股票交易代码：CY)今日宣布其一款用于支持瞬时启动应用的全新小尺寸存储器解决方案已验证成功。赛普拉斯HyperFlash和HyperRAM多芯片封装(MCP)解决方案在8mm x 6mm的空间内集成了赛普拉斯的3V 512M HyperFlash™和64M HyperRAM™存储器。
2016年9月13日，致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下世平推出采用德州仪器(TI)芯片和庆科(MXChip)的无线模块，基于Apple HomeKit平台的智能插座方案、智能温控器方案和智能门窗感应方案。
日前，碳化硅(SiC)技术全球领导者半导体厂商Cree宣布推出采用 SiC材料可使感应加热效率达到99%的Vds最大值为1.2KV、典型值为5.0 mΩ半桥双功率模块CAS300M12BM2。该款产品目标用途包括感应加热设备、电机驱动器、太阳能和风能逆变器、UPS和开关电源以及牵引设备等。
Molex公司推出采用镍镀层铝外壳和屏蔽环来提供出色的电磁干扰(EMI)和射频干扰(RFI)保护的Woodhead® MAX-LOC® Plus 屏蔽塞绳结头(Cord-Grip)组件产品。
前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出采用PowerPAK® ChipFET®和PowerPAK 1212-8S封装的新器件，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。
东京—东芝公司(TOKYO：6502)日前宣布推出采用硅上氮化镓(GaN-on-Si)工艺打造的白光LED产品。
宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 8 月12 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出采用微型鸥翼、倒鸥翼和侧视型封装及宽视角半球形透镜的新款高速光探测器，使其光电子产品组合更加丰富多样。
