搜索结果：找到 “关键字” 相关内容 9个， 当前显示 10 条，共 1 页
化工大学特聘教授吉姆•埃德加已经获得了发明专利——“离轴碳化硅衬底”，这项工艺可以用来制作更好的半导体，并且可能有助于改善电子设备性能，为功率电子行业和半导体器件制造商带来益处。
对于制作LED芯片来说，衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底，需要根据设备和LED器件的要求进行选择。
上海，2013年7月23日 – 富士通半导体(上海)有限公司今日宣布，推出基于硅衬底的氮化镓(GaN)功率器件芯片MB51T008A，该芯片可耐压150 V。
近年来，我国LED芯片技术快速发展。目前我国蓝宝石衬底白光LED有很大突破，有报道显示，光效已达到90lm/W-100lm/W。同时，具有自主技术产权的硅衬底白光LED也已经达到90lm/W-96lm/W。中国LED芯片业正在加速发展。与此同时，海外芯片厂商也正在加速进入中国市场，科锐(Cree)在惠州建设芯片厂、旭明在广东省建设LED芯片厂让中国LED芯片业有山雨欲来风满楼的竞争态势。
致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC) 扩大其基于碳化硅衬底氮化镓(GaN on SiC)技术的射频(RF)晶体管系列，推出新型S波段 500W RF器件2729GN-500，新器件瞄准大功率空中交通管制机场监视雷达(ASR)应用，ASR用于监视和控制在机场大约100英里范围的
过去在电子工业中知名的普莱思半导体有限公司(Plessey Semiconductors Ltd.，位于英国普利茅斯)，已交付到能够一次处理7个6英寸的晶片的Aixtron(爱思强)公司，并用于生产高亮度LED。普莱思正在利用自身的技术制造基于硅衬底的氮化镓晶片。
科锐公司(Nasdaq: CREE)宣布推出具有革新性功率与带宽性能的全新Ku波段40V、0.25微米碳化硅衬底氮化镓基(GaN-on-SiC)裸芯片产品系列。该创新型产品系列能够使得固态放大器替代行波管，从而提高效率和可靠性。
这项由西门子旗下子公司欧司朗光电半导体公司的研究人员所进行的研究，成功在硅衬底上生产出了氮化镓LED芯片，取代了目前普遍使用的较为昂贵的蓝宝石衬底。
2011年6月9日易美芯光(北京)科技有限公司和晶能光电(江西)有限公司联合宣布，成功开发世界上第一款高亮度硅衬底LED产品。
