基于氮化镓的LED具有更低成本效益
2012-08-02 10:08:53
来源：华强LED网
摘要： 过去在电子工业中知名的普莱思半导体有限公司(Plessey Semiconductors Ltd.，位于英国普利茅斯)，已交付到能够一次处理7个6英寸的晶片的Aixtron(爱思强)公司，并用于生产高亮度LED。普莱思正在利用自身的技术制造基于硅衬底的氮化镓晶片。
关键字： 高亮度LED， 氮化镓晶片
过去在电子工业中知名的普莱思半导体有限公司(Plessey Semiconductors Ltd.，位于英国普利茅斯)，已交付到能够一次处理7个6英寸的晶片的Aixtron(爱思强)公司，并用于生产高亮度LED。普莱思正在利用自身的技术制造基于硅衬底的氮化镓晶片。
“我们使用更薄的氮化镓层，和其他6-8μm的氮化镓硅工艺技术相比，我们仅仅只有2.5μm。”普莱塞的高亮度LED产品线主任Neil Harper在一份声明中说。更薄的氮化镓意味着较少的沉积时间和单位时间内的更多的LED产能。
基于硅衬底的GaN LED有150 lm/W的效能，而且普莱塞预计95%的产能效益为，在1mm2的面积上6个晶片可以生产14000个高亮度LED芯片。普莱塞还打算将在将来8英寸的衬底上有更大的成本减少。
蓝色LED有个显著的特征是，首批样品在峰值发射时，在波长为460nm处电流为350mA。这项技术可以延伸到其他发射波长，例如，在磷的转换下，500nm的青色和530nm的琥珀绿可实现白色光输出。在今年晚些时候，黑白输出将起初实现提供80 lm/W，预计到2012年6月能提供150 lm/W。
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