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8月22日-23日，第四届紫外LED会议及长治LED产业发展大会在长治举办。会议期间，山西中科潞安紫外光电科技有限公司举办新品推介发布会，重磅推出了四款行业领先的深紫外LED产品。
9月14日，“第三届紫外LED国际会议暨长治LED产业发展推进大会”在山西长治胜利闭幕。会议由长治市人民政府、中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）主办，长治市发展和改革委员会、长治国家高新技术产业开发区管委会承办。
9月13日，以“构建紫外新兴业态、促进科技成果转化”为主题的“第三届紫外LED国际会议暨长治LED产业发展推进大会”在山西长治盛大开幕。会议由长治市人民政府、中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）主办，长治市发展和改革委员会、长治国家高新技术产业开发区管委会承办。
同和电子(DOWA ELECTRONICS)宣布，开发成功了发光波长为325～350nm的深紫外LED。比目前市售的紫外LED发光波长短，“实现了该波长范围全球最高水平的输出功率”(同和电子)。
据日媒报道，日本东北大学与罗姆将ZnO(氧化锌)类紫外led的发光强度提高到了100μW，为原来产品的1万倍。这一发光强度是InGaN与GaN类紫外LED的约110倍。
同和电子开发出波长为325～350nm的深紫外LED
