同和电子开发出325～350nm全球最高水平深紫外LED
2012-08-03 11:49:42
来源：中国IC网
摘要： 同和电子(DOWA ELECTRONICS)宣布，开发成功了发光波长为325～350nm的深紫外LED。比目前市售的紫外LED发光波长短，“实现了该波长范围全球最高水平的输出功率”(同和电子)。
关键字： 深紫外LED，
同和电子(DOWA ELECTRONICS)宣布，开发成功了发光波长为325～350nm的深紫外LED。比目前市售的紫外LED发光波长短，“实现了该波长范围全球最高水平的输出功率”(同和电子)。
采用了在蓝宝石底板上高温外延生成的AIN层模板，并结合使用从美国帕洛阿尔托研究中心(Palo Alto Research Center)引进的紫外LED外延生长技术。同和电子具有制造高品质AIN模板的技术，该公司介绍说，用AIN模板作为缓冲层，可有效降低促使结晶生长的氮化镓(GaN)材料的变形。
目前，该公司正在进行旨在实现深紫外LED量产的试验。力争2008年度内开始样品供货。
本文为哔哥哔特资讯原创文章，未经允许和授权，不得转载，否则将严格追究法律责任；
暂无评论