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采用固相反应法制备了C3N4掺杂的氧化锌基压敏陶瓷。研究了C3N4掺杂对氧化锌基压敏陶瓷的相成分、显微结构、介电频谱、小电流性能和通流能力的影响。实验发现，C3N4掺杂在氧化锌晶粒长大过程中起抑制作用，随着C3N4掺杂量的提升，氧化锌基压敏陶瓷的压敏电压梯度与非线性系数一并提高。
随着信息技术的迅猛发展，电子设备的体积越来越小、工作电压越来越低，这对供电电压的稳定性提出了更高的要求，由于ZnO压敏电阻具有优良的非线性和通流能力大等优点，作为雷电浪涌保护元件在电子电路和电力系统中得到广泛的应用，保证了设备的安全运行。但是压敏电阻在使用的过程中因为着火引发火灾时有报道[1]，事故造成的损失巨大，在不少的生产厂商及用户均为此付出了昂贵的代价后，人们越来越重视压敏电阻在使用过程中自
ZnO 压敏电阻器能量耐量主要取决于电阻片微观结构的均匀性，实验用溶胶-凝胶法制备了复合纳米添加剂，在适当的工艺下制备了 ZnO 压敏电阻器元件。用 SEM 对元件进行了微观形貌分析，并对元件进行了电性能的测试。结果表明：溶胶-凝胶法改善了元件的微观结构均匀性， 2ms 方波通流能力(能量耐受能力)较传统工艺大幅度提高。同时研究了电老练工艺对 ZnO 压敏电阻器 2ms 方波通流能力的影响，在冲击
本文综述影响氧化锌压敏陶瓷电阻片、方波通流能力的冲击性能的多种缺陷的原因，提出了预防和解决措施。
本文使用传统的陶瓷工艺，研究了侧面高阻釉对压敏防雷芯片电性能的影响。结果表明：高阻釉使芯片的均匀性得以提高、缺陷减少；提高样品的8/20μs通流能力；在1000mA工频电流作用下，芯片的熔穿点位于芯片中部铜电极区，利于热脱离机构动作，从而提高芯片的暂态过电压耐受能力。
本文主要研究了调节纳米复合粉体制备工艺对氧化锌压敏电阻性能的影响。通过调节复合粉体制备工艺，利用电性能、通流能力的测试，研究了在不同制备复合粉体的工艺条件下对氧化锌压敏电阻片的参数调节。实验表明，调节复合粉体制备工艺可以影响其压敏电阻片的电压梯度、通流能力等。
