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芯达茂多款优异IGBT产品亮相2022’中国电机智造与创新应用暨电机产业链交流会(春季)。
美高森美公司宣布其新一代1200V非穿通型IGBT系列增添十多款全新器件,包括25A、50A和70A额定电流型款。
致力于能源、安全、可靠性与高性能领域,全球领先的半导体供应商美高森美公司(Microsemi Corporation,纽约纳斯达克交易所代号:MSCC)宣布其新一代1200V非穿通型(non-punch through,NPT)系列的三款IGBT新产品面世:APT85GR120B2、APT85GR120L和APT85GR120J。该产品系列的所有器件均基于美高森美的先进Power MOS 8
太阳能功率逆变器、不间断电源(UPS)以及焊接应用的设计人员面临提高能效,满足散热法规,同时减少元件数目的挑战。有鉴于此,飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)开发了一系列针对光伏逆变器应用的650V IGBT产品,帮助设计人员应对这一行业挑战。
12月14日,具有世界最先进水平的首批最大功率IGBT产品在中国北车永济电机公司成功下线,使企业成为世界第四个、国内第一个能够封装6500V以上电压等级IGBT的厂家。这标志着我国与世界发达国家站在同一技术平台,自主研发IGBT芯片产业化步伐进一步加快。
英飞凌科技股份公司近日推出600 V和1200V高速3(第三代)IGBT产品系列。
此次推出的产品中,除了有采用三洋半导体独自技术达成的用于电源电池管理的MOSFET系列(具有业界最高水准的低导通电阻特性, 并实现了小型薄型大功率), 低压驱动闪光用IGBT产品以外,还包括低饱和电压,射频用各种双极晶体管产品。 通过驱使独自的核心技术, 三洋在多领域为您提供理想的选择: 有最适于数字AV设备及手机设计的高性能Power&RF分立元器件, 小型高效率高功能的发动机驱动产品, 及非晶