Microsemi新增多款IGBT产品器件
摘要: 美高森美公司宣布其新一代1200V非穿通型IGBT系列增添十多款全新器件,包括25A、50A和70A额定电流型款。
美高森美为NPT IGBT产品系列增添多款新器件 全新25A、50A和 70A IGBT器件设计用于大功率、高性能的工业应用
美高森美公司宣布其新一代1200V非穿通型IGBT系列增添十多款全新器件,包括25A、50A和70A额定电流型款。
美高森美的NPT IGBT产品系列设计用于需要大功率和高性能广大范围的工业应用,最新的器件非常适合电焊机、太阳能逆变器,以及不间断电源和开关电源。1200V产品系列中的所有器件均以美高森美的先进Power MOS 8技术为基础,与竞争解决方案相比,总体开关和导通损耗显著降低20%或更多。
美高森美新的NPT IGBT解决方案与该产品系列中的所有器件相一致,可以与美高森美的FRED或碳化硅肖特基二极管组合封装,为工程师提供高集成度解决方案,以便简化产品开发工作。其它特性包括:
与同类器件相比,栅极电荷显著减少,具有更快的开关性能;
硬开关运作频率超过80KHz,实现高效的功率转换;
易于并联(Vcesat的正温度系数),提升大功率应用的可靠性
额定短路耐受时间(Short Circuit Withstand Time Rated, SCWT),在需要短路能力的应用中实现可靠运作
除了器件优势之外,美高森美为NPT IGBT器件提供贴片 D3封装,可让设计人员实现更高的功率密度和更低的制造成本。
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