Microsemi扩展NPT IGBT产品系列
摘要： 致力于能源、安全、可靠性与高性能领域，全球领先的半导体供应商美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC)宣布其新一代1200V非穿通型(non-punch through，NPT)系列的三款IGBT新产品面世：APT85GR120B2、APT85GR120L和APT85GR120J。该产品系列的所有器件均基于美高森美的先进Power MOS 8 技术，与竞争解决方案相比，总体开关和导通损耗显著降低20%或更多。这些IGBT器件设计用于大功率的高性能开关模式产品，比如电焊机、太阳能逆变器和不间断开关电源。
致力于能源、安全、可靠性与高性能领域，全球领先的半导体供应商美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC)宣布其新一代1200V非穿通型(non-punch through，NPT)系列的三款IGBT新产品面世：APT85GR120B2、APT85GR120L和APT85GR120J。该产品系列的所有器件均基于美高森美的先进Power MOS 8 技术，与竞争解决方案相比，总体开关和导通损耗显著降低20%或更多。这些IGBT器件设计用于大功率的高性能开关模式产品，比如电焊机、太阳能逆变器和不间断开关电源。
美高森美的1200V解决方案可与其FRED或碳化硅肖特基(Schottky)二极管组合封装，为工程师提供高集成度解决方案，以便简化产品开发工作。其它特性包括：
· 相比竞争产品，栅极电荷(Qg)显著减少，具有更快的开关性能;
· 硬开关运行频率大于80 KHz，实现更高效的功率转换;
· 易于并联(Vcesat的正温度系数)，提升大功率应用的可靠性;以及
· 额定短路耐受时间(Short Circuit Withstand Time，SCWT)，在需要短路能力的应用中实现可靠运作
此外，美高森美将于短期内提供采用SOT-227封装的APT85GR120JD60器件，包含了一个60A反并联(anti-parallel)超快恢复二极管，采用美高森美的专有“DQ”系列低开关损耗、额定雪崩能量二极管技术制造。
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