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为了应对相应的挑战，英飞凌科技股份公司宣布其高压MOSFET器件适用的 QDPAK 和 DDPAK 顶部冷却 (TSC) 封装已成功注册为 JEDEC 标准。
本文介绍了一种基于CPLD技术的MOSFET器件保护电路的设计与实现。该电路设计方案具有抗干扰能力强、响应速度快和通用性好的优点。通过试验验证了该方案的正确性和可行性。
2013年6月5日 – 推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN) 推出两款新的MOSFET器件，用于智能手机及平板电脑应用，作为锂离子电池充电/放电保护电路开关的关键组成部分。EFC6601R和EFC6602R帮助设计人员减小方案尺寸、提升能效及将电池使用时间延至最长。
ADI公司的ADP2384/ADP2386是两款4mm×4mm LFCSP封装的高效、同步降压DC/DC稳压器，内部集成一个44mΩ的高边检测功率MOSFET及一个11.6mΩ(ADP2384)、11mΩ(ADP2386)的同步整流MOSFET器件。
日前，集设计，研发一体的著名功率半导体及芯片供应商万国半导体(AOS， 纳斯达克代码: AOSL)发布了旗下最新150V MOSFET器件: AON6250。该器件作为AOS AlphaMOS™ (MOS™)中压系列旗舰产品，为众多设备追求极致效率提供了解决方案。AON6250适用于通信及工业电源DC/DC转换器原边开关、AC/DC及DC/DC转换器副边同步
英飞凌近日在2013应用电力电子会议暨展览会(APEC)中宣布推出DrBlade：全球第一款采用创新芯片嵌入式封装技术的集成式器件，它集成了DC/DC 驱动器及MOSFET VR功率级。DrBlade包含最新一代低压DC/DC驱动器技术及OptiMOS MOSFET器件。该MOSFET 技术拥有最低的单位面积导通阻抗及针对应用优化的品质因数，能达到最高的DC/DC调压系统效率，适用于计算及电信应用
2013年3月27日，北京——英飞凌科技股份公司 (FSE代码：IFX/ OTCQX代码：IFNNY)近日在2013应用电力电子会议暨展览会(APEC)中宣布推出DrBlade：全球第一款采用创新芯片嵌入式封装技术的集成式器件，它集成了DC/DC 驱动器及MOSFET VR功率级。DrBlade包含最新一代低压DC/DC驱动器技术及OptiMOS™ MOSFET器件。该MOSFET 技
碳化硅(SiC)功率器件领域的市场领先者科锐公司(Nasdaq: CREE)日前宣布推出第二代碳化硅MOSFET器件。相对于同等成本的基于硅器件的系统，科锐新型碳化硅MOSFET器件可实现更高的系统效率及更小的系统尺寸。
Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)宣布，推出全新电源转换控制器系列及其首个功率MOSFET器件系列。该全新脉宽调制(PWM)控制器与配套的低品质因数(FOM)MOSFET产品系列组合支持高效的DC/DC电源转换设计，涵盖了广泛的消费电子和工业应用。这两个全新系列彰显了Microchip对于其实现更高电压、更高效率及行业趋向的更小电源转换系统这一承诺的显著进步。
恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V.日前宣布推出全新汽车级功率MOSFET器件系列，该系列采用恩智浦的Trench 6技术，具有极低导通电阻(RDSon)、极高的开关性能以及出色的品质和可靠性。
