英飞凌推出采用创新芯片嵌入式封装技术的新一代DrMOS器件DrBlade
摘要： 2013年3月27日，北京——英飞凌科技股份公司 (FSE代码：IFX/ OTCQX代码：IFNNY)近日在2013应用电力电子会议暨展览会(APEC)中宣布推出DrBlade：全球第一款采用创新芯片嵌入式封装技术的集成式器件，它集成了DC/DC 驱动器及MOSFET VR功率级。DrBlade包含最新一代低压DC/DC驱动器技术及OptiMOS MOSFET器件。该MOSFET 技术拥有最低的单位面积导通阻抗及针对应用优化的品质因数，能达到最高的DC/DC调压系统效率，适用于计算及电信应用，包括刀片服务器和机架服务器、PC主板、笔记本电脑和游戏机等。
全新Blade封装技术
英飞凌创新的Blade封装技术，采用芯片嵌入概念，使用电镀制程取代标准的封装制程，例如邦线、夹焊以及常见的模制技术。此外，芯片也以叠层薄片进行保护。其结果是大幅缩小封装体积、降低封装电阻及电感，同时还降低热阻。
英飞凌低压功率转换产品资深总监Richard Kuncic表示：“英飞凌是业界第一家推出采用Blade技术的集成了驱动器及MOSFET半桥的半导体公司。DrBlade的推出可提升服务器应用在全负载范围的效率，再度证明我们在功率半导体领域的领导地位。”
节省空间，提高效率
DrBlade封装面积为5x5mm，高度仅为0.5mm，可满足计算系统对于更高功率密度及节省空间的需求。DrBlade拥有优化的引脚规划，可简化PCB布局。采用全新的芯片嵌入式封装技术，再结合英飞凌的OptiMOS MOSFET，这使DrBlade成为低压市场的最佳稳压解决方案。
上市时间与定价
DrBlade样品已开始提供，并于2013年第二季度量产。
关于英飞凌全新Blade系列产品的更多信息，请访问： www.infineon.com/drblade。
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