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Littelfuse公司荣幸地宣布推出IX4341和IX4342双5安培低压侧MOSFET栅极驱动器。这些栅极驱动器专为驱动MOSFET而设计,通过增加其余两个逻辑输入版本完善了现有的IX434x驱动器系列。
罗姆的EcoSiC™ TRCDRIVE pack™ 模块以小型化、高功率密度及易量产等特点,革新了电动汽车逆变器技术,推动行业向更高性能和可靠性迈进。
英飞凌科技股份有限公司推出用于电机驱动的低功耗CIPOS™ Maxi智能功率模块 (IPM) 系列,进一步扩展了其第七代TRENCHSTOP™ IGBT7电机产品系列。
英飞凌科技股份公司推出600V CoolMOS™ 8高压超结(SJ)MOSFET产品系列。该系列器件结合了600V CoolMOS™ 7 MOSFET系列的先进特性,是P7、PFD7、C7、CFD7、G7和S7产品系列的后续产品。
随着人工智能(AI)处理器对功率的要求日益提高,服务器电源(PSU)必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率,这主要是因为高级GPU的能源需求激增。到本十年末,每颗高级GPU芯片的能耗可能达到2千瓦或以上。
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司近日推出适用于汽车功率管理应用的600V CoolMOS™ S7TA超级结MOSFET。
英飞凌科技股份公司正在扩大其用于汽车应用的下一代OptiMOS™ 7 MOSFET产品组合,在40V产品组合中新增了采用稳健且无铅封装的器件,并且推出了80V和100V型号的OptiMOS™ 7 MOSFET。
英飞凌科技股份公司推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。
本文分析了高速信号传输接口对静电放电 (Electrostatic Discharge, ESD)防护元件的要求及元件选型,采用片式多层技术平台设计制造开关型陶瓷静电抑制器(GESD)的功能与性能,经过测试该元件可满足高速信号传输接口ESD防护的技术要求。
Littelfuse公司隆重宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。 这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅(SiC)MOSFET和高功率绝缘栅双极晶体管(IGBT)。