功率晶体管是随着近几年移动通信系统对基站功率放大器和手机功率放大器的性能要求提高逐渐发展起来的新型射频功率器件。具有工作性能高、寄生电容小、易于集成等特点。特别适合在集成电路中作功率器件。
有关“功率晶体管”的最新话题，搜索634 次
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司推出全新CoolGaN™晶体管700V G4产品系列。
英飞凌照明驱动ＩＣ以其丰富的产品类型，广泛的拓扑组合，搭配业界领先功率晶体管CoolMOS技术，充分满足了LED驱动电源设计的半导体器件选型需求。
传统的直流电机调速方法很多，如调压调速、弱磁调速等，它们存在着调速响应慢、精度差、调速装置复杂等缺点。随着全控式电力电子器件技术的发展， 以大功率晶体管作为开关器件的直流脉宽调制(PWM)调速系统已成为直流调速系统的主要发展方向。
变频器是利用电力半导体器件的通断作用将工频电源变换为另一频率的电能控制装置，能实现对交流异步电机的软起动、变频调速、提高运转精度、改变功率因数、过流/过压/过载保护等功能。变频器集成了高压大功率晶体管技术和电子控制技术，得到广泛应用。
中国移动日前在其官方网站正式公布了2013年TD-LTE无线主设备的招标公告，此次集采涉及全国31个省市，采购规模约为20.7万个基站，共计55万载扇。与此同时，中移动还启动了2013年首次TD-LTE 4G终端集采，规模为20.65万部。
恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)近日宣布推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶体管，作为特别关注TD-LTE的无线基站第八代LDMOS产品线的扩展产品。
恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)(纳斯达克：NXPI)近日宣布推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶体管，作为特别关注TD-LTE的无线基站第八代LDMOS产品线的扩展产品。
射频(RF)功率技术领域的领先提供商飞思卡尔半导体日前宣布为其Airfast RF功率解决方案旗舰系列推出了多个最新成员：包括三个LDMOS功率晶体管和一个氮化镓(GaN)晶体管，所有产品均超越了严格的地面移动市场要求，具有超强耐用性。
飞思卡尔半导体为其Airfast RF功率解决方案旗舰系列推出了多个最新成员：包括三个LDMOS功率晶体管和一个氮化镓(GaN) 晶体管，所有产品均超越了严格的地面移动市场要求，具有超强耐用性。
飞思卡尔计划通过全新的氮化镓(GaN) RF功率晶体管产品、经过验证的400多个LDMOS RF功率晶体管和砷化镓(GaAs)单片微波集成电路(MMIC)产品支持广泛的A&D应用。
