SiC器件,即碳化硅(SiC)功率器件,是一种新型的半导体功率器件,具有高效率、小型化、高可靠性和快速开关等优点。SiC器件在电力电子领域具有广泛的应用前景,特别是在电力牵引、新能源、工业电机、汽车电子等领域。 SiC器件的显著优势在于其卓越的材料特性。SiC材料的绝缘击穿场强是硅的10倍,带隙是硅的3倍,这使得SiC器件能够承受高电压、高频率和高温等极端环境。此外,SiC器件的漂移层可以做得更薄,因此可以制造出单位面积导通电阻非常低的高耐压元器件,具有更低的导通损耗和开关损耗。同时,SiC材料的热导
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碳化硅(SiC)功率元件正快速在太阳能(PV)逆变器应用市场攻城掠地。SiC功率元件具高频和耐高温特性,不仅可较传统硅功率半导体,提供更高的电源转换效率,更可减少所需的电容和感测器数量,已吸引愈来愈多太阳能逆变器制造商青睐。
碳化硅(SiC)功率器件领域的市场领先者科锐公司(Nasdaq: CREE)日前宣布推出第二代碳化硅MOSFET器件。相对于同等成本的基于硅器件的系统,科锐新型碳化硅MOSFET器件可实现更高的系统效率及更小的系统尺寸。
科锐SPICE模型帮助电力电子设计工程师量化仿真在电路系统设计中 碳化硅MOSFET所带来的效益碳化硅(SiC)功率器件的市场领先者科锐公司日前宣布推出支持业界首款用于碳化硅MOSFET功率器件且符合全面认证的SPICE模型。
近日,瑞萨电子株式会社(以下简称“瑞萨”)宣布开发出了肖特基势垒二极管(SBD)RJS6005TDPP,该器件采用了碳化硅材料(SiC,注1)——这种材料被认为具有用于功率半导体器件的巨大潜力。
碳化硅 (SiC) 功率器件市场领先者科锐公司 (Nasdaq: CREE) 日前宣布推出一新型产品系列。该系列产品由七款1200V Z-Rec? 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管组成,不仅优化了价格和性能,还可提供多种额定电流和封装选择。通过推出种类齐全的碳化硅二极管产品系列,科锐不断将碳化硅功率器件向主流功率应用中推广。
碳化硅 (SiC) 功率器件市场领先者科锐公司 (Nasdaq: CREE) 日前宣布推出一新型产品系列。该系列产品由七款1200V Z-Rec™ 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管组成,不仅优化了价格和性能,还可提供多种额定电流和封装选择。