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本文主要介绍了在应对存储器和半导体市场不景气时，国外的存储器厂家和半导体厂家是如何应对的，特别是韩国的三星电子，SK海力士和镁光，以及英特尔。
本文主要介绍了存储器厂家一直在尝试在一个封装中集成RAM和NAND的共同优点，但是一直没什么进展，最近英国的兰开斯特大学的专家称，他们成功制造出一种新型的非易失性存储器。
近期国家纳米元件实验室(NDL)成功在R-RAM(Resistive Random-Access Memory)技术架构下，研发出全球最小的9纳米电阻式存储器，计划在2011年下半正式成立“16-8纳米元件联盟”，将广邀存储器厂及晶圆代工厂加入，首波会先洽谈台系存储器厂，目标5~10年内将此技术导入量产，让台湾正式加入NAND Flash产业战局。
“进入全球存储器厂商前三强” 力晶举行新工厂动工仪式
Axcelis获亚洲存储器厂薄膜固化与电荷擦除设备订单
