嵌入式存储器在嵌入式系统中扮演着重要的角色。主要分为主存(内存)和辅存(非易失存储)两大类。主存和辅存的区别主要在于访问速度和数据易失性。主存的速度快,但在掉电后数据会丢失;而辅存能在掉电后保存数据,但访问速度较慢。 在嵌入式系统中,主存主要分为SRAM(静态随机存取存储器)和DRAM(动态随机存取存储器)。SRAM的特点是速度快,大概是DRAM的4倍,但每一bit的数据需要更多的晶体管,因此成本更高。DRAM则需要每隔几毫秒刷新一次,否则数据会被擦除。这是因为DRAM中的数据bit是保存在电容中的,
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新思科技(Synopsys)近日宣布,为协助各式处理器核心的优化设计实作,将扩充DesignWare双重嵌入式存储器(Duet Embedded Memory)以及逻辑库IP(Logic Library IP)之产品组合,成为新的DesignWare HPC(高效能核心)设计套件(Design Kit),其内容还包含高速及高密度存储器实体(memory instance)和标准元件库(cell l
新思科技公司(Synopsys, Inc.)日前发布其专为支持多种处理器内核的优化实现而设计的套件,以作为DesignWare® Duet嵌入式存储器以及逻辑库IP组合的扩展。
新思科技公司(Synopsys)日前宣布:即日起提供其基于FinFET技术的半导体设计综合解决方案。该解决方案包含了一系列DesignWare嵌入式存储器和逻辑库IP,其Galaxy实现平台中经芯片验证过的设计工具,以及晶圆代工厂认证的提取、仿真和建模工具。它还包含了多家晶圆厂用于开发FinFET工艺所需的TCAD和掩膜综合产品。
随着SoC设计向存储器比例大于逻辑部分比例的方向发展,高质量的存储器测试策略显得尤为重要。存储器内置自测试(BIST)技术以合理的面积开销来对单个嵌入式存储器进行彻底的测试,可提高DPM、产品质量及良品率,因而正成为测试嵌入式存储器的标准技术。
2012年3月28日)世界领先的纯晶圆代工厂之一,上海华虹NEC电子有限公司(以下简称“华虹NEC”)今天宣布,国内主要的智能卡设计公司之一,北京同方微电子设计有限公司(以下简称“同方微电子”)基于公司成熟的0.13微米嵌入式存储器工艺平台,成功地开发出通过银联认证的国产移动支付芯片(THC80F09)。
灿芯半导体与新思科技有限公司(Synopsys, Inc.,)及中芯国际深度合作,使灿芯自主研发的40nm芯片一次性流片成功。这颗芯片集成了Synopsys DesignWare® 嵌入式存储器和逻辑库,以及中芯国际自主研发的PLL、I/O等关键IP部件,成功验证了灿芯半导体在40nm工艺线上的前端和后端设计流程。
灿芯半导体与新思科技有限公司(Synopsys, Inc.,)及中芯国际深度合作,使灿芯自主研发的 40nm 芯片一次性流片成功。这颗芯片集成了 Synopsys DesignWare? 嵌入式存储器和逻辑库,以及中芯国际自主研发的 PLL、I/O 等关键 IP 部件,成功验证了灿芯半导体在 40nm 工艺线上的前端和后端设计流程。
为了向低密度PLD设计人员提供一个适用于大批量、成本敏感设计的“全功能PLD”,莱迪思半导体(Lattice)日前推出新的MachXO2 PLD系列。与上一代MachXO系列相比,MachXO2系列提供了3倍的逻辑密度、10倍的嵌入式存储器,静态功耗降低了100倍以上并减少了高达30%的成本,其待机功耗可以低至19uW。嵌入式闪存技术采用低功耗65nm工艺,低密度可编程器件应用中的一些常用功能,如
(中国,上海—2010年4月12日)2010年中国半导体市场年会于2010年3月9日至10日在上海召开。大会公布了由中国半导体行业协会、中国电子材料行业协会、中国电子专用设备工业协会、中国电子报等单位共同评选出的 “第四届(2009年度)中国半导体创新产品和技术”获奖结果,上海华虹NEC电子有限公司(以下简称“华虹NEC”)的“0.13微米SONOS嵌入式存储器工艺技术”和“芯片超级同测技术(SC
全球可编程逻辑解决方案领导厂商赛灵思公司(Xilinx)与ARM公司宣布正式开展合作,在赛灵思FPGA中应用ARM处理器与互联技术。赛灵思公司目前已经开始采用ARMCortex处理器IP,利用性能优化的ARM数字单元库(celllibrary)和嵌入式存储器,为未来的可编程平台提供支持。