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针对电流在压敏电阻体微观结构中的分布进行试验研究。对压敏电阻器芯片施以冲击电流，会在垂直方向上引起压敏参数发生变化且变化小于冲击方向，压敏电压呈对称变化，漏电流增加、非线性指数下降。
两步烧结有利于获得小晶粒、高电位梯度的氧化锌压敏陶瓷，但其两步的温度分别对氧化锌压敏陶瓷烧结过程的影响尚不清楚。本文采用两步法在不同温度下烧结ZnO压敏陶瓷，分析不同温度对氧化锌陶瓷的微观结构与电学性能的影响。
氧化锌陶瓷电阻是由ZnO晶粒及其他晶粒组成的复合烧结体，无高阻晶界层。它具有线性的电压—电流特性，电阻率可调，电阻温度系数小且为正，耐浪涌能量大。本文讨论了氧化锌陶瓷电阻的性能，以及性能与配方、工艺的关系，探讨了氧化锌陶瓷电阻的微观结构和导电模型。
采用固相反应法制备了C3N4掺杂的氧化锌基压敏陶瓷。研究了C3N4掺杂对氧化锌基压敏陶瓷的相成分、显微结构、介电频谱、小电流性能和通流能力的影响。实验发现，C3N4掺杂在氧化锌晶粒长大过程中起抑制作用，随着C3N4掺杂量的提升，氧化锌基压敏陶瓷的压敏电压梯度与非线性系数一并提高。
文章综述了 ZnO 半导体陶瓷的晶相、晶界，微观结构和电性能关系，晶界势垒高度和耗尽层宽度的表征，从 ZnO 半导体陶瓷晶界电容与晶界势垒电压关系，推导了电容—电压(C—V)特性，可以求得 ZnO 半导体陶瓷晶粒的势垒高度，耗尽层宽度和施主密度。
ZnO 压敏电阻器能量耐量主要取决于电阻片微观结构的均匀性，实验用溶胶-凝胶法制备了复合纳米添加剂，在适当的工艺下制备了 ZnO 压敏电阻器元件。用 SEM 对元件进行了微观形貌分析，并对元件进行了电性能的测试。结果表明：溶胶-凝胶法改善了元件的微观结构均匀性， 2ms 方波通流能力(能量耐受能力)较传统工艺大幅度提高。同时研究了电老练工艺对 ZnO 压敏电阻器 2ms 方波通流能力的影响，在冲击
本文研究了 Sb2O3、TiO2、Co3O4、Cr2O3、Ni2O3 和 MnO 掺杂对 SnO2 压敏陶瓷材料微观结构和电性能的影响。实验发现，TiO2 和 Co3O4 是促进 SnO2 陶瓷致密化烧结的有效添加剂，根据 XRD 图谱分析发现，Co3O4 与 SnO2 反应形成了 Co2SnO4 晶相，而 TiO2 则固溶于 SnO2 晶相；Sb 元素的引入能够促进 SnO2 晶粒的半导化；复合
