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全球无线通讯NOR 快闪记忆体市场在2012年约有10亿美元的市场规模，预计这一数字恐将在2013年萎缩28%，在年底时约仅7.25亿美元。
对部分人来说，电荷擷取(CT)技术听起来好像是新发明，但其实早在1967年H.A.R Wegner就在IEDM(国际电子器件大会)的技术文摘上首次介绍了这一项技术。类似地同样的，还有许多在当今被视為未来非挥发记忆体(NVM)的新一代快闪记忆体技术，实则也都由来已久。
Microchip Technology 推出采用64/16 KB、256/64 KB和512/128 KB快闪记忆体RAM配置的全新系列 PIC32MX3 /4微控制器(MCU)。这些新型MCU配备了Microchip针对图形、连线、数位音讯和通用嵌入式控制设计提供全面的软体和工具。
瑞萨电子(Renesas Electronics)的32位元微控制器(MCU) RX100 系列推出新款 RX111 产品，采用超低功耗零等待状态快闪记忆体制程，支援领先市场的 32位元耗电量/效能等级，并支援快速唤醒及各种标准周边装置与多种安全功能，并内建 USB 2.0 周边装置可支援主控、装置及On-The-Go (OTG)功能。
全球第2大NAND型快闪记忆体(Flash Memory)厂商东芝(Toshiba Corp)8日于日股收盘后公布上年度(2012年度;2012年4月-2013年3月)财报：数位产品部门及电子组件部门销售下滑，拖累合并营收年减4.9%至5兆8，002亿日圆;合并营益受出售中小尺寸面板事业影响而年减4.1%至1，943亿日圆;合并纯益因汇兑损失改善加上资产轻量化效果显现而成长10.7%至775亿日圆
英飞凌科技与格罗方德公司 (Globalfoundries Inc.) 日前宣佈共同开发并合作生产40 奈米 (nm) 嵌入式快闪记忆体 (eFlash) 製程技术。这项合作案将着重于以英飞凌 eFlash 晶片设计为基础的技术开发，以及採用 40nm 製程的车用微控制器及安全晶片的製造。新一代 40nm eFlash 微控制器晶片将在格罗方德不同的据点生产，初期于新加坡，后续则将转移到位于德国德
日本媒体报导，全球第2大NAND型快闪记忆体(FlashMemory)厂商东芝(Toshiba)于21日宣布，因半导体需求回温，故旗下日本半导体工厂将于今年年末的元旦假期期间加班赶工。东芝表示，于去年元旦假期停工8天的姬路半导体工厂今年将不停工持续进行生产;大分工厂今年元旦假期期间的停工天数则将自去年的6天减半至3天。
瑞萨电子宣佈推出RX21A系列32位元微控制器(MCU)，适用于具有先进功能的智慧电表。新款MCU为结合512 KB大容量快闪记忆体及24位元Delta-sigma A/D转换器的产品，适用于高精度测量。
“电子书阅读器为微处理器与记忆体供应商创造了新商机”In-Stat资深分析师StephanieEthier表示：“其中处理器平均销售价格是在我们的预测期间中变动幅度最小的，在2009至2014年之间约仅下跌18%。”她补充指出，尽管NAND快闪记忆体的容量密度有显著增加，电子书阅读器内的快闪记忆体单位价值，预估在相同预测期间内将衰减60%。
LSI公司宣佈推出专为Ultrabook设计的SandForce SF-2200/2100用户端快闪记忆体储存处理器(FSP)，其强化功能可满足Ultrabook严格的功耗要求，并提供快闪记忆体技术的卓越效能优势。
