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长期以来，全球半导体/高端电子束/量检测设备、科研高分辨扫描电子显微镜，核心技术与市场，被海外巨头垄断，持续制约国内科研创新与芯片产业升级。“惠然”之名源自《诗经・邶风・终风》中的“终风且霾，惠然肯来”，彰显了惠然直面卡脖子技术，聚力攻克精密量检测领域卡脖子难题的本源初心。
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本研究探讨了立方相 Zn₄B₆O₁₃ (ZBO)对ZnO-Bi₂O₃-Sb₂O₃-MnO₂-Co₂O₃ (ZBSMCO)陶瓷的电流-电压特性与微观结构的影响。通过X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分别分析了相变行为与形貌演变。
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探究了掺杂氧化铋对氧化锌电阻片的影响，采用扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射仪(XRD)、能量色散光谱仪（EDS）、电流-电压测试仪、脉冲电流测试仪和精密阻抗分析仪对其进行了微观结构的表征和电学性能的测试。
研究了铝离子、铟离子共同掺杂对ZnO压敏电阻的微观结构和电学性能的影响。通过X射线衍射、扫描电子显微镜对微观结构进行了表征，通过电流-电压测试、脉冲电流冲击测试和电容-电压测试对电性能进行了评估。
采用传统固相法制备稀土氧化物Gd2O3掺杂的ZnO压敏陶瓷。采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和压敏电阻直流参数仪对样品的物相、显微组织及电性能进行分析。结果表明：随着Gd2O3掺杂量的增加，ZnO压敏陶瓷电位梯度单调递增，非线性系数先增加后减小，而漏电流呈现先减小后增大的变化趋势。
滨松光电新型半导体故障分系统PHEMOS-X,该设备内部了新型多波长激光扫描仪同时结合了公司的“独特的内部光学设计技术”，实现了可见光导近红外线来分析缺陷。PHEMOS-X相对与传统的激光扫描仪优势能够给抑制五种激光器中的光学损耗。
