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Littelfuse公司今日宣布推出SMFA非对称系列表面贴装瞬态抑制二极管，这是市场上首款非对称瞬态抑制解决方案，专为保护碳化硅（SiC）MOSFET栅极免受过压事件影响而设计。
Palmas复合型电源浪涌保护器将压敏电阻（MOV）、陶瓷放电管（GTD）、瞬态抑制二极管（TVS）、浪涌电阻（SR）, 温度控制保险管等各种防雷、瞬态过电压保护元器件、通过串联和并联的矩阵方式排列在PCB电路板，由主放电电路和控制电路组成。解决了残压、响应时间、漏电流、通流量、工频续流、使用寿命的问题。
本文分析了高速信号传输接口对静电放电 (Electrostatic Discharge, ESD)防护元件的要求及元件选型，采用片式多层技术平台设计制造开关型陶瓷静电抑制器（GESD）的功能与性能，经过测试该元件可满足高速信号传输接口ESD防护的技术要求。
汽车电气化可能是我们这个时代影响最广的电源挑战。这是汽车 OEM 厂商在从内燃机向纯电动汽车转型的过程中面临的一个全球性问题。各地的研发团队都在探索新的方法，试图找到更好的解决方案来解决新旧电源的难题。
在“LDO基础知识：电源抑制比”一文中，Aaron Paxton讨论了使用低压降稳压器 (LDO) 来过滤开关模式电源产生的纹波电压。然而，这并不是实现清洁直流电源的唯一考虑因素。由于LDO是电子器件，因此它们会自行产生一定量的噪声。选择低噪声LDO并采取措施来降低内部噪声对于生成不会影响系统性能的清洁电源轨而言不
汽车、工业和航空电子设备所处的供电环境非常复杂，在这种恶劣的供电环境中运行，需要具备对抗各种浪涌伤害的能力。以汽车电子系统供电应用为例，该系统不但需要满足高可靠性要求，还需要应对相对不太稳定的电池电压，具有一定挑战性。
滨松光电新型半导体故障分系统PHEMOS-X,该设备内部了新型多波长激光扫描仪同时结合了公司的“独特的内部光学设计技术”，实现了可见光导近红外线来分析缺陷。PHEMOS-X相对与传统的激光扫描仪优势能够给抑制五种激光器中的光学损耗。
在最简单意义上，处理器功耗主要有两方面：内核和I/O。当涉及到抑制内核功耗时，我会检查诸如以下的事情：PLL配置/时钟速度、内核供电轨、内核的运算量。
采用固相反应法制备了C3N4掺杂的氧化锌基压敏陶瓷。研究了C3N4掺杂对氧化锌基压敏陶瓷的相成分、显微结构、介电频谱、小电流性能和通流能力的影响。实验发现，C3N4掺杂在氧化锌晶粒长大过程中起抑制作用，随着C3N4掺杂量的提升，氧化锌基压敏陶瓷的压敏电压梯度与非线性系数一并提高。
本文主要介绍了瞬态抑制二极管和静电二极管的不同，瞬态抑制二极管可以按应用领域、封装、内部结构来分类，而静电二极管主要是用来防静电的，它的电容值很低。
