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本文针对工业生产中出现的同批次ZnO压敏电阻片泄漏电流波动较大问题进行了研究，对泄漏电流异常和正常的ZnO电阻片样品进行了不同温度的短时热处理，发现短时热处理促进了ZnO陶瓷中的α-Bi2O3相和β-Bi2O3相转变为导氧能力更强的δ-Bi2O3相，促进了晶粒中的氧向晶界处扩散。
氧化锌陶瓷电阻是由ZnO晶粒及其他晶粒组成的复合烧结体，无高阻晶界层。它具有线性的电压—电流特性，电阻率可调，电阻温度系数小且为正，耐浪涌能量大。本文讨论了氧化锌陶瓷电阻的性能，以及性能与配方、工艺的关系，探讨了氧化锌陶瓷电阻的微观结构和导电模型。
本文着力解决氧化锌压敏电阻器势垒劣化与大电流区伏安特性无明显劣化的问题，提出氧化锌压敏电阻器在不同的电压下，电致伸缩效应和电流热效应引起晶界势的动态变化。
文章综述了 ZnO 半导体陶瓷的晶相、晶界，微观结构和电性能关系，晶界势垒高度和耗尽层宽度的表征，从 ZnO 半导体陶瓷晶界电容与晶界势垒电压关系，推导了电容—电压(C—V)特性，可以求得 ZnO 半导体陶瓷晶粒的势垒高度，耗尽层宽度和施主密度。
降低成本——液晶界展开零组件材料革命
