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前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出采用PowerPAK® ChipFET®和PowerPAK 1212-8S封装的新器件，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。
宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 1 月14 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款8V和20V N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。这些MOSFET具有业内最低的导通电阻，采用1mm x 1mm x 0.55mm和1.6mm x 1.6mm x
宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 11 月29 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出采用业内最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT®封装的CSP规格尺寸，具有业内最低导通电阻的新款12V和20V 的N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET。
宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 10 月8 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款采用热增强型2mm x 2mm PowerPAK® SC-70封装的单路12V器件--- SiA447DJ，以及采用3mm x 1.8mm PowerPAK ChipFET封装、高度0.8mm的单片30V器件---Si5
Vishay Intertechnology， Inc.宣布，发布新款40V和60V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。
Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用0.6mm超低外形的热增强Thin PowerPAK® SC-70封装的新款30V N沟道---SiA444DJT和20V P沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA429DJT。在2mm x 2mm的占位面积内，新的SiA444DJT实现了N沟道MOSFET当中业内最低
宾夕法尼亚、MALVERN — 2011 年 3 月 2 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款双芯片20V P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK® SC-70封装，具有8V栅源电压和迄今为止双芯片P沟道器
日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款8V P沟道TrenchFET® 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK® SC-70封装，具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。
德州仪器 (TI) 宣布推出一款全面集成型负载开关，其在 3.6 V 电压下所提供的 5.7 m 标准导通电阻 (rON) 比同类竞争产品低 4 倍。
日前，Vishay Intertechnology， Inc.宣布，推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位面积的热增强PowerPAK SC-70®封装，具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。新款SiA433EDJ是采用第三代TrenchFET® P沟道技术的最新器件，使用了自矫正的工艺技术，在每平方英寸的硅
