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传统制备氮化硅薄膜技术(CVD)存在沉积温度高的缺点，我们采用电子回旋共振-等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)技术以降低薄膜沉积温度。ECR-PECVD技术具有高离子密度、低离子温度、对基板轰击能量低、沉积温度低等优点。在本文中，我们对不同工艺下ECR-PECVD低温制备的氮化硅薄膜的沉积速率和表面形貌进行了探讨。
