氮化镓(GaN)功率器件是一种新型的功率器件,它利用了氮化镓材料的高开关速度、高耐压、高功率密度等特性,可以在高功率、高频率、高效率的应用中发挥重要作用。 与传统的硅(Si)功率器件相比,氮化镓功率器件具有以下优点: 更高的开关速度:氮化镓功率器件的开关速度比硅功率器件快得多,可以在更高的频率下工作,从而提高了系统的效率和响应速度。 更高的耐压能力:氮化镓功率器件的耐压能力比硅功率器件高得多,可以在更高的电压下工作,从而提高了系统的可靠性和安全性。 更高的功率密度:氮化镓功率器件的功率密度比硅功率器件高
有关“氮化镓功率器件”的最新话题,搜索1481 次
近日,珠海镓未来科技有限公司披露其已完成近亿元A+轮融资,由顺为资本、高瓴创投、盈富泰克联合投资,深启投资担任独家财务顾问。至今,这家专注于高端第三代半导体氮化镓功率器件研发、生产、营销和系统应用的综合解决方案提供商,成立一年半已累计融资过2亿。本轮融资将主要用于氮化镓功率芯片新产品
镓未来携多款氮化镓功率器件亮相智能照明研讨会。
CoolGaN™是打开高效能源之门的钥匙。因为他在更高电压运行,具有更高频率的开关、更薄的主动层、功率密度扩散、散热能力提升,因此可实现提升效率、更稳定可靠、更高功率密度、减小系统尺寸、简化控制、降低系统成本等好处。
上海,2012年11月20日 –富士通半导体(上海)有限公司今日宣布采用其基于硅基板的氮化镓 (GaN) 功率器件的服务器电源单元成功实现2.5kW的高输出功率,富士通半导体计划将于2013年下半年开始量产这些GaN功率器件。这些器件可广泛用于电源增值应用,对实现低碳社会做出重大贡献。