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包括在读博士生Ravi Agrawal在内的西北大学压电研究人员表示，通过将纳米氮化镓(GaN，一种III-V族半导体)，以及氧化锌(ZnO，一种II-VI半导体)纳米线缩小到2.4nm以下，从运动产生的能量系数可分别提升20倍和100倍。他们还运用了密度泛函理论(density function theory， DFT)来计算降至0.6nm时的性能范围。
